[发明专利]红外线检测装置有效
| 申请号： | 201580076369.3 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN107250738B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 石原正敏;山本洋夫;大重美明 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;H01L27/14;H01L27/144;H04N5/225 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨琦;黄浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外线 检测 装置 | ||
信号处理基板(10)具有多个信号处理电路(23)，该处理电路处理由红外线检测元件(1)的多个像素输出的信号。信号处理基板(10)具有：配置有红外线检测元件(1)的元件配置区域(17)、从与信号处理基板(10)正交方向看以围绕元件配置区域(17)的方式位于元件配置区域(17)的外侧的电路配置区域(19)。信号处理基板(10)具有层叠于与半导体基板(3)相对的面侧的多个绝缘层(13)。多个信号处理电路(23)以围绕元件配置区域(17)的方式配置于电路配置区域(19)。在信号处理基板(10)上，以位于至少有一层绝缘层(13)上并且位于元件配置区域(17)的方式，配置有热导电层(27)。热导电层(27)具有比绝缘层(13)的热传导率更高的热传导率。
技术领域
本发明涉及红外线检测装置。
背景技术
具有红外线检测元件与信号处理基板的红外线检测装置为人们所熟知(例如参照专利文献1)。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路。信号处理基板与半导体基板相对配置。多个信号处理电路配置于与半导体基板相对的区域。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开第2011-142558号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
信号处理电路在运作时会发热。多个信号处理电路在配置于与半导体基板相对的区域的情况下，由信号处理电路发出的热容易传导到半导体基板(红外线检测元件)上。因此，红外线检测元件容易受信号处理基板发出的热的影响。红外线检测元件若受热的影响则会增加暗电流。
因此，本发明一个形态的目的在于提供一种能够抑制暗电流的增加的红外线检测装置。
解决技术问题的手段
本发明的一个形态所涉及的红外线检测装置的特征为：具有红外线检测元件、信号处理基板以及配置于信号处理基板的热传导层。红外线检测元件具有多个像素呈二维状配置的半导体基板。信号处理基板具有处理从多个像素输出的信号的多个信号处理电路，而且，信号处理基板与半导体基板相对配置。信号处理基板具有，配置有红外线检测元件的元件配置区域，以及从与信号处理基板正交的方向看以围绕元件配置区域的方式位于元件配置区域外侧的电路配置区域。信号处理基板具有层叠于与半导体基板相对的面侧的多个绝缘层。多个信号处理电路，以围绕元件配置区域的方式配置于电路配置区域。热传导层以位于至少一层的绝缘层上并位于元件配置区域的方式配置。热导电层具有比多个绝缘层的热传导率更高的热传导率。
本形态所涉及的红外线检测装置上，多个信号处理电路以围绕元件配置区域的方式配置于电路配置区域上。在多个信号处理电路配置于电路配置区域的结构中，与现有的多个信号处理电路配置于位于红外线检测元件(半导体基板)的正下方的区域的结构相比，成为热的发生源的信号处理电路到红外线检测元件的距离更长。即，在与本发明相关的红外线检测装置中，与上述现有的结构相比，红外线检测元件因为远离信号处理电路，红外线检测元件不易受信号处理基板发出的热的影响。因此，在与本发明相关的红外线检测元件上抑制了在红外线检测元件的暗电流的增加。
即使在多个信号处理电路配置于电路配置区域的结构上，信号处理电路所散发的热会传导至元件配置区域。在这个情况下，在元件配置区域，信号处理电路附近位置的温度与远离信号处理电路位置的温度不同。即，元件配置区域会产生温度梯度。例如，信号处理电路附近位置的温度比远离信号处理电路位置的温度更高。
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