[实用新型]一种宽幅聚酰亚胺膜带有效

专利信息
申请号: 201520512107.4 申请日: 2015-07-15
公开(公告)号: CN204820489U 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 于娜娜 申请(专利权)人: 天津市龙德绝缘材料有限公司
主分类号: B32B7/12 分类号: B32B7/12;B32B3/30;B32B27/28
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地址: 30000*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 宽幅 聚酰亚胺
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于膜带制造技术领域,尤其涉及一种宽幅聚酰亚胺膜带。

背景技术

聚酰亚胺膜包括均苯型聚酰亚胺薄膜和联苯型聚酰亚胺薄膜两类。前者为美国杜邦公司产品,商品名Kapton,由均苯四甲酸二酐与二苯醚二胺制得。后者由日本宇部兴产公司生产,商品名Upilex,由联苯四甲酸二酐与二苯醚二胺(R型)或间苯二胺(S型)制得。薄膜制备方法为:聚酰胺酸溶液流延成膜、拉伸后,高温酰亚胺化。薄膜呈黄色透明,相对密度1.39~1.45,有突出的耐高温、耐辐射、耐化学腐蚀和电绝缘性能,可在250~280℃空气中长期使用。玻璃化温度分别为280℃(UpilexR)、385℃(Kapton)和500℃以上(UpilexS)。20℃时拉伸强度为200MPa,200℃时大于100MPa。特别适宜用作柔性印制电路板基材和各种耐高温电机电器绝缘材料。完善聚酰亚胺薄膜关键性工艺技术随着有关聚酰亚胺研究的不断深入,我国自行生产聚酰亚胺薄膜技术也将逐渐完善,生产成本也会逐渐降低。我国研发的高性能聚酰亚胺薄膜成功实现产业化后,将会促使国内高性能聚酰亚胺薄膜的价格下降,减少其应用领域的成本,这对我国电子电器等产业的发展十分有利。当前急需积极开发专用树脂的制备和稳定的生产工艺技术,为聚酰亚胺薄膜产业化提供坚实的基础,同时填补我国在相关技术领域的空白,打破国外对这一技术的垄断,并能为国内发展这类高新技术材料提供全套成熟的关键性技术,推动我国行业进步和产业升级,助力我国从生产大国向技术强国的转变。目前实际应用的宽幅聚酰亚胺膜带均是多层薄膜挤压成型,薄膜之间的胶粘剂容易溢出,影响美观。

发明内容

本实用新型提供及一种宽幅聚酰亚胺膜带,以解决上述背景技术中提出的胶粘剂溢出问题。

本实用新型所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:本实用新型提供及一种宽幅聚酰亚胺膜带,其特征在于:包括第一上层薄膜、第二上层薄膜,第一下层薄膜、第二下层薄膜,所述第一上层薄膜、第二上层薄膜,第一下层薄膜、第二下层薄膜等长,所述第一上层薄膜、第二上层薄膜之间设有上夹层薄膜,所述上夹层薄膜长度小于第一上层薄膜的长度,所述第一上层薄膜与上夹层薄膜之间设有第一上层粘胶剂,所述第二上层薄膜与上夹层薄膜之间设有第二上层粘胶剂,所述第一上层薄膜的下底面设有第一上凹槽,所述上夹层薄膜的上表面设有第一下凹槽,所述第一下凹槽与第一上凹槽位置相对,所述上夹层薄膜的下底面设有第二上凹槽,所述第二上层薄膜的上表面设有第二下凹槽,所述第二下凹槽与第二上凹槽位置相对,所述第一下层薄膜、第二下层薄膜之间设有下夹层薄膜,所述下夹层薄膜长度小于第一下层薄膜的长度,所述第一下层薄膜与下夹层薄膜之间设有第一下层粘胶剂,所述下夹层薄膜与第二下层薄膜之间设有第二下层粘胶剂,所述第一下层薄膜的下底面设有第三上凹槽,所述下夹层薄膜的上表面设有第三下凹槽,所述第三下凹槽与第三上凹槽位置相对,所述下夹层薄膜的下底面设有第四上凹槽,所述第二下层薄膜的上表面设有第四下凹槽,所述第四下凹槽与第四上凹槽位置相对,所述第二上层薄膜的下底面设有限位凸块,所述第一下层薄膜的上表面设有与限位凸块相配合的限位凹槽。

所述第一上凹槽、第二上凹槽、第三上凹槽、第四上凹槽为半球形。

所述第一下凹槽、第二下凹槽、第三下凹槽、第四下凹槽为半球形。

本实用新型的有益效果为:本技术方案通过在中间薄膜之间设有限位凸块与限位凹槽,可以连接相邻的薄膜,而不要胶粘剂,避免了胶粘剂的外溢,在上、下层薄膜内的夹层设置的长度比相邻的短,可以存放外溢的部分胶体,而不影响膜带的整体美观,另外在胶粘剂相邻的膜带层设置凹槽,也可以存放一些胶体,减少外溢的胶体,实施效果非常理想。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中:1-第一上层薄膜,2-上夹层薄膜,3-第二上层薄膜,4-第一下层薄膜,5-下夹层薄膜,6-第二下层薄膜,7-第一上层粘胶剂,8-第二上层粘胶剂,9-第一下层粘胶剂,10-第二下层粘胶剂,11-第一上凹槽,12-第一下凹槽,13-第二上凹槽,14-第二下凹槽,15-第三上凹槽,16-第三下凹槽,17-第四上凹槽,18-第四下凹槽,19-限位凸块,20-限位凹槽。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步描述:

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