[实用新型]电路结构

权利要求书

1.一种电路结构，其特征在于，包括电源线、去耦合电容、模拟电路、正泵电路、稳压电容以及滤波电阻，所述模拟电路以第一节点与所述电源线相连、所述正泵电路以第二节点与所述电源线相连，所述去耦合电容并联在所述第一节点和所述第二节点之间；所述稳压电容并联于所述去耦合电容与所述第二节点之间，所述滤波电阻串联于所述去耦合电容与所述稳压电容之间。

2.如权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述正泵电路包括：

反相电路，所述反相电路包括输入端和输出端；

第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的漏极连接所述第二节点，源极以第三节点连接所述反相电路的输出端，栅极以第四节点连接所述反相电路的输入端；

第一电容，所述第一电容串联于所述第三节点与所述反相电路的输出端之间；

第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管的漏极连接所述第二节点，源极连接所述第四节点，栅极连接所述第三节点；

第二电容，所述第二电容串联于所述第四节点与所述反相电路的输入端之间。

3.如权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述反相电路的输入端连接一第一时钟控制信号，所述第一时钟控制信号的频率为100-500MHz。

4.如权利要求2所述的电路结构，其特征在于，所述正泵电路还包括：

第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的漏极连接所述第四节点，源极连接正泵电路输出端，栅极连接所述第三节点；

第二PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的漏极连接所述第三节点，源极连接所述正泵电路输出端，栅极连接所述第四节点。

5.如权利要求4所述的电路结构，其特征在于，所述正泵电路输出端连接图像传感器阵列。

6.如权利要求5所述的电路结构，其特征在于，所述正泵电路输出端与所述图像传感器阵列之间并联一输出电容，所述输出电容的一端接地。

7.如权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述稳压电容的电容值为1pF-100pF。

8.如权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述滤波电阻的电阻值为30Ω-100Ω。

9.如权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述第一节点远离所述第二节点的一侧的所述电源线上串联一3Ω-5Ω的寄生电阻。

10.如权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述去耦合电容的一端接地，所述稳压电容的一端接地。