[实用新型]用于多晶硅还原炉的底盘组件有效
申请号: | 201520179793.8 | 申请日: | 2015-03-27 |
公开(公告)号: | CN204625193U | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
发明(设计)人: | 姚心;汪绍芬;严大洲 | 申请(专利权)人: | 中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/03 | 分类号: | C01B33/03 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 100038*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 多晶 还原 底盘 组件 | ||
1.一种用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,包括:
底盘本体,所述底盘本体内限定有冷却腔;
多个电极,多个所述电极设在所述底盘本体上;
多个中心进气管,多个所述中心进气管设在所述底盘本体的中心处;
多个外圈进气管组,多个所述外圈进气管组设在所述底盘本体的外周缘处且沿所述底盘本体的周向间隔开设置,每个所述外圈进气管组包括排列成环形的多个外圈进气管;
多个排气管,多个所述进气管设置在所述底盘本体上且位于多个所述电极的外侧。
2.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述中心进气管为五个,其中,一个所述中心进气管设在所述底盘本体的中心,另外四个所述中心进气管沿所述底盘本体的周向等间距设置。
3.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述外圈进气管组为四个,每个所述外圈进气管组包括三个所述外圈进气管。
4.根据权利要求3所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,每个所述外圈进气管组中的三个所述外圈进气管排列成圆环形且沿所述圆环形的周向等间距设置。
5.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述排气管为四至八个且沿所述底盘本体的周向等间距设置。
6.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述电极为三十六对且分布在所述底盘本体的第一至第五圈上,所述第一至第五圈为以所述底盘本体的中心为圆心且由内至外依次增大的四个同心圆。
7.根据权利要求6所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述第一圈上分布有两对所述电极,所述第二圈上分布有四对所述电极,所述第三圈上分布有八对所述电极,所述第四圈上分布有八对所述电极,所述第五圈上分布有十四对所述电极。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,还包括:
进气环管,所述进气环管上设有进气口且设置在所述底盘本体下方;
多个进气支管,多个所述进气支管连接在所述进气环管上,多个所述中心进气管与一个所述进气支管相连,每个所述外圈进气管组中的多个所述外圈进气管与一个所述进气支管相连。
9.根据权利要求1所述的用于多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述底盘本体包括:
底盘法兰;
上底板,所述上底板设在所述底盘法兰内;
下底板,所述下底板设在所述底盘法兰内且位于所述上底板下方,所述下底板与所述上底板和所述底盘法兰限定出所述冷却腔;
多个导流板,多个所述导流板设在所述冷却腔内且在所述冷却腔内限定出多个螺旋流道,所述冷却液进口和所述冷却液出口与多个所述螺旋流道连通。
10.根据权利要求9所述的多晶硅还原炉的底盘组件,其特征在于,所述上底板为碳钢和不锈钢复合板,所述下底板均为碳钢板。
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