[实用新型]一种散热型发光二极管有效

专利信息
申请号: 201520000972.0 申请日: 2015-01-04
公开(公告)号: CN204289537U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 袁志贤 申请(专利权)人: 袁志贤
主分类号: H01L33/64 分类号: H01L33/64;H01L33/62;H01L33/48
代理公司: 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 代理人: 田志远
地址: 518000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 散热 发光二极管
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及微电子元器件领域,尤其是一种散热型发光二极管。

背景技术

发光二极管是一种半导体组件,最初多用作指示灯、显示板等,随着白光 LED 的出现也被用作照明。随着发光二极管的广泛使用,人们对发光二极管的要求也越来越高,尤其是发光二极管的散热性能。普通的二极管没有散热装置,在大功率的放光二极管中,通过高电流的时候会产生大量的热量,普通的二极管散热性能很差,大大缩短了二极管的使用寿命。而部分发光二极管中也设有散热板,但是由于散热面积有限,散热效果并不好,也会影响发光二极管的稳定工作。

发明内容

本实用新型的目的在于针对以上技术不足,提供一种散热型发光二极管。

本实用新型的技术方案如下所述:

一种散热型发光二极管,包括二极管芯片和基座,其特征在于,所述基座呈“凸”字形结构,且其中间设有散热腔;

所述二极管芯片安装于所述基座上方,且与所述基座之间设有散热板,散热板中设有连通孔,连通孔连接所述二极管芯片和所述基座中未设有散热腔的部分;所述二极管芯片的P极通过导线连接第一基片,第一基片下端设有第一引脚,所述二极管芯片的N极通过导线连接第二基片,第二基片下端设有第二引脚,所述二极管芯片和导线外侧设有透明的绝缘胶层;所述二极管芯片两端分别设有凹槽。

所述第一基片和所述第一引脚为一体式结构。

进一步的,所述第一基片和所述第一引脚呈“┍”形,设置于所述基座左侧。

所述第二基片和所述第二引脚为一体式结构。

进一步的,所述第二基片和所述第二引脚呈“┑”形,设置于所述基座右侧。

所述散热腔为“凸”字形结构或圆柱形结构。

所述散热胶层上设有连通所述二极管芯片和外界的散热孔。

基于上述技术方案的本实用新型与现有技术相比,其有益效果是:本实用新型具有成本低廉,生产工艺简单的特点,基片和引脚一体式结构使得生产加工更加便利。

散热板增大了二极管芯片下侧位置的散热性能,散热孔增加了二极管芯片上方和绝缘胶层的散热面积,同时基座所设置的散热腔不仅增加了基座的散热面积,同时节约了原料,使成本降低。

本实用新型外形整齐,适合批量生产,并方便安装固定。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的结构示意图;

图2是本实用新型实施例二的结构示意图。

在图中,1、基座;1-1、散热腔;2、二极管芯片;3-1、第一基片;3-2、第一引脚;4-1、第二基片;4-2、第二引脚;5、绝缘胶层;5-1、散热孔;6、凹槽;7、连通孔;8、散热板。

具体实施方式

下面结合附图和实施过程对本方法作进一步说明。

如图1所示,本实用新型提供一种高亮度的聚光型发光二极管,主要包括二极管芯片2和基座1等部分。

实施例一

基座1呈“凸”字形结构,且其中间设有散热腔1-1,散热腔1-1为“凸”字形结构。二极管芯片2安装于所述基座1上方,且与基座1之间设有散热板8,散热板8中设有连通孔7,连通孔7连接二极管芯片2和基座1中未设有散热腔1-1的部分。二极管芯片2的P极通过导线连接第一基片3-1,第一基片3-1下端设有第一引脚3-2,二极管芯片2的N极通过导线连接第二基片4-1,第二基片4-1下端设有第二引脚4-2,二极管芯片2和导线外侧设有透明的绝缘胶层5。

实施例二

基座1呈“凸”字形结构,且其中间设有散热腔1-1,散热腔1-1为圆柱形结构。二极管芯片2安装于所述基座1上方,且与基座1之间设有散热板8,散热板8中设有连通孔7,连通孔7连接二极管芯片2和基座1中未设有散热腔1-1的部分。二极管芯片2的P极通过导线连接第一基片3-1,第一基片3-1下端设有第一引脚3-2,二极管芯片2的N极通过导线连接第二基片4-1,第二基片4-1下端设有第二引脚4-2,二极管芯片2和导线外侧设有透明的绝缘胶层5,且散热胶层5上设有连通二极管芯片2和外界的散热孔5-1。

为了防止二极管芯片2尖端放电而影响运行,在二极管芯片2的两端分别设有凹槽6。

第一基片3-1和第一引脚3-2为“┍”形的一体式结构,设置于基座1左侧;第二基片4-1和第二引脚4-2为“┑”形的一体式结构,设置于基座1右侧。

应当理解的是,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,而所有这些改进和变换都应属于本实用新型所附权利要求的保护范围。

上面结合附图对本实用新型专利进行了示例性的描述,显然本实用新型专利的实现并不受上述方式的限制,只要采用了本实用新型专利的方法构思和技术方案进行的各种改进,或未经改进将本实用新型专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的,均在本实用新型的保护范围内。

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