[发明专利]一种高隔离度射频开关电路

说明书

技术领域

本发明属于射频开关领域，具体涉及一种高隔离度射频开关电路。

背景技术

射频开关是射频信号处理系统中的关键单元，广泛运用于雷达和通讯系统中，其性能直接决定了射频信号处理系统的性能。射频开关由于具有工作频带宽、插入损耗低、开关时间短、容易集成等特点得到了广泛应用。

传统射频开关电路如图1所示，由于通常采用的CMOS/BiCMOS工艺限制，使得射频开关的要参考地需通过键合丝与地连接，而射频开关的参考地与地连接之间的寄生参数越小，对射频开关性能的影响越小。但在实际运用中，与地连接的键合丝引入的寄生电感L_1a值一般为0.3～0.5nH，从而导致射频开关的隔离度降低。

其隔离度作为射频开关的关键性指标，直接决定了射频开关性能和应用，为了得到更好的隔离度指标，GaAs/GaN等工艺引入了到地通孔来取代键合丝，即其背面金属化接地，表面电路通过通孔直接与电路背面相连，取得了较好的效果。但由于GaAs/GaN工艺存在成本较高、控制电平高、集成度较低等不足，随着信号处理系统越来越向低价、低压、集成化发展，其应用受到很大限制。

而在普通工艺条件下，为了提高射频开关的隔离度，一般采用增加射频开关串联和并联MOS晶体管级数的方法。但是，本发明的发明人经过研究发现，这种方法不仅会增大电路的版图面积，而且由于增加了信号通路上串联和并联MOS晶体管级数，会导致插入损耗变大，工作带宽变窄，输入/输出驻波系数变差等一系列问题。

发明内容

针对现有技术中射频开关由于到地键合丝引入寄生电感，导致射频开关隔离度下降的技术问题，本发明提供一种高隔离度射频开关电路，通过将射频开关到地键合丝所形成的寄生电感构造成滤波器的一部分，从而使射频开关的隔离度得到提高。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种高隔离度射频开关电路，包括基本单刀单掷射频开关单元和滤波器单元；其中，

所述基本单刀单掷射频开关单元包括NMOS管M_1b、NMOS管M_2b、NMOS管M_3b、NMOS管M_4b、NMOS管M_5b、电阻R_1b、电阻R_2b、电阻R_3b、电阻R_4b、电阻R_5b和电阻R_6b，所述NMOS管M_1b的漏极与信号输入端V_IN相连，NMOS管M_1b的源极与NMOS管M_2b和NMOS管M_4b的漏极相连，NMOS管M_2b的源极与NMOS管M_3b和NMOS管M_5b的漏极以及电阻R_6b的一端相连，NMOS管M_3b的源极与电阻R_6b的另一端和信号输出端V_OUT连接，NMOS管M_4b和NMOS管M_5b的源极连接在一起且连接点为C，电阻R_1b的一端与NMOS管M_1b的栅极相连，电阻R_2b的一端与NMOS管M_2b的栅极相连，电阻R_3b的一端与NMOS管M_3b的栅极相连，电阻R_1b的另一端、电阻R_2b的另一端和电阻R_3b的另一端均与控制端B连接，电阻R_4b的一端与NMOS管M_4b的栅极相连，电阻R_5b的一端与NMOS管M_5b栅极相连，电阻R_4b的另一端和电阻R_5b的另一端均与控制端A连接；