[发明专利]一种双大马士革集成工艺方法

权利要求书

1.一种双大马士革集成工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01：提供一半导体衬底，在所述衬底上淀积超低k介电材料层，并在所述超低k介电材料层形成双大马士革结构；

步骤S02：对所述双大马士革结构进行第一次等离子体处理，以在所述双大马士革结构侧壁处将所述超低k介电材料转化为二氧化硅；

步骤S03：进行湿法清洗工艺；

步骤S04：对所述双大马士革结构进行第二次等离子体处理，以在所述双大马士革结构侧壁处将所述二氧化硅再次转化为低k介电材料；

步骤S05：进行阻挡层/籽晶层淀积，以及进行铜电镀的填充和化学机械抛光工艺。

2.根据权利要求1所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，步骤S02中，所述第一次等离子体处理中的反应气体包括氢气和氮气。

3.根据权利要求2所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，所述第一次等离子体处理中的所述氢气的流量为100～200sccm，氮气的流量为10～50sccm。

4.根据权利要求2或3所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，所述第一次等离子体处理中的压力为40～60mT，高频功率为600～800W，低频功率为200～300W，处理时间为100～200秒。

5.根据权利要求1所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，步骤S03中，所述湿法清洗工艺采用有机药液或无机药液进行。

6.根据权利要求1所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，步骤S04中，所述第二次等离子体处理中的反应气体包括一氧化碳，二氧化碳和氮气。

7.根据权利要求6所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，所述第二次等离子体处理中的所述一氧化碳的流量为50～400sccm，二氧化碳的流量为200～800sccm，氮气的流量为100～600sccm。

8.根据权利要求6或7所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，所述第二次等离子体处理中的压力为10～100mT，功率为150～500W，处理时间为50～200秒。

9.根据权利要求1所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，步骤S05中，所述阻挡层材料为钽或氮化钽，所述籽晶层材料为铜、铜锰合金或铜铝合金。

10.根据权利要求1所述的双大马士革集成工艺方法，其特征在于，通过对所述超低k介电材料层进行光刻、刻蚀，形成所述双大马士革结构，并利用刻蚀腔体对所述双大马士革结构进行第一、二次等离子体处理。