[发明专利]一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法

权利要求书

1.一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将称量好的ZrO₂、Y₂O₃、Ti粉末放入混料罐中加入磨球进行混粉处理，混粉完毕后取出烘干得到混合粉末，其中，ZrO₂、Y₂O₃、Ti粉末的平均粒径均为5um，Y₂O₃粉末占ZrO₂粉末摩尔质量的3％-8％，Ti粉末占ZrO₂粉末的质量分数为1％-30％，所述磨球为氧化锆球，磨球质量与ZrO₂、Y₂O₃、Ti粉末质量之和相等，混粉时间为8h-12h；

步骤二，将步骤一中烘干得到的混合粉末进行造粒压样得到成型样品；

步骤三，将步骤二中得到的成型样品进行排胶烧结，其在0℃-200℃时升温速率为5℃-10℃/min，200℃-550℃时升温速率为2℃-5℃/min，并在550℃时保温1h-2.5h；

步骤四，将步骤三排胶烧结完成的成型样品放入真空炉内进行高温烧结，所述高温烧结时烧结温度为1300℃-1500℃，升温速率为5℃-15℃/min，保温时间为1h-3h，随炉冷却后即得钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料。

2.如权利要求1所述的一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤二中将步骤一中烘干得到的混合粉末进行造粒压样得到成型样品具体步骤为：

将混合粉末放入研钵中研磨并混合均匀，一次过筛后加入适当的粘结剂研磨后进行烘干处理，干燥完成后进行二次过筛，将二次过筛得到的颗粒进行预压破碎后再进行三次过筛，然后将得到的颗粒通过干压成型制得成型样品，其中，所述粘结剂为聚乙烯醇溶液，一次过筛的筛孔大小为100-200目，二次过筛和三次过筛的筛孔大小为20-40目，干压成型时的成型压强为200MPa-490MPa，保压时间为1min-3min。

3.如权利要求2所述的一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤一和步骤二中的烘干温度均为50℃-80℃，烘干时间为1h-3h。

4.如权利要求1所述的一种钛钇共掺杂氧化锆常温半导体陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述步骤三和步骤四中烧结均使用真空热压烧结炉，并采用真空烧结方式。