[发明专利]哈密瓜二次座果栽培方法

权利要求书

1.一种哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于按下述方法进行：第一步，选择瓜地，选择土壤有机质质量百分含量为1.5%至2%、总盐质量百分含量小于0.5%和PH值为7至8的地块作为瓜地；第二步，开沟施肥，沿瓜地等高线划开沟线，距开沟线两侧40cm至45cm处开施肥沟，施肥沟沟深25cm至30cm，每亩按优质腐熟有机肥2m³至2.5m³或者油渣200kg至250kg、氮磷钾复合肥30kg至40kg和磷酸二铵25kg至30kg进行施肥，将优质腐熟有机肥或者油渣、氮磷钾复合肥和磷酸二铵施入施肥沟内覆土回填；第三步，开瓜沟，沿开沟线开瓜沟，相邻两瓜沟之间的距离为3.5m至4m，瓜沟沟深0.5m至0.6m、瓜沟上口宽0.9m至1m；第四步，浇水并铺地膜，播种前5天至7天在瓜地的各瓜沟内灌满水，5天至7天后进行播种，瓜沟两侧畦面10cm至15cm处为播种带，将播种带刮平，在播种带和相邻播种带瓜沟一侧铺地膜，铺好地膜后压平、压紧、压实；第五步，播种，3月20日至4月5日期间进行播种，且瓜地5cm深处地温连续3天稳定在12℃至13℃，在播种带上采用穴播进行播种，株距35cm至40cm，播种深度2cm至3cm，每穴播2粒至3粒哈密瓜种子；第六步，扣棚，在相邻两播种带之间扣棚，在扣棚上覆盖棚膜；第七步，间、定苗，1片至2片真叶时间苗，3片至4片真叶时定苗，每穴留苗1株，亩保苗为800株至850株，播种后7天至10天不通风，出苗以后开始逐步通风，直至4月中下旬揭棚；第八步，水肥管理，伸蔓期至开花座果期10天至12天在瓜沟内灌水1次，果实膨大期8天至10天在瓜沟内灌水1次，每次灌水量为瓜沟沟深的2/3至3/4，头茬果开始上网纹时，及时结合灌水每亩补施氮磷钾复合肥8公斤至10公斤，采收前5天至7天停止灌水；第九步，倒蔓、压蔓，瓜苗4片至5片真叶及时倒蔓，在根茎部靠畦内开3cm至5cm深的小沟，将瓜蔓倒向沟内，用土块压蔓，每隔4节至5节压一次，用土块直接压到蔓上，不压叶片和坐瓜节位，全生育期共压蔓3次至4次，直至封垄；第十步，整枝、打杈、留瓜、疏果，采用单蔓整枝，主蔓不摘心，摘除第1节至11节叶腋内发出的子蔓，选留座瓜节位在12节至14节，待幼瓜鸡蛋大时选留1个果型较好的瓜，留瓜侧蔓瓜前留1叶至2叶摘心，其它2个幼果全部摘除，幼瓜座稳后及时摘除15节至16节叶腋发出的子蔓，选留17节至18节坐二次果，幼果坐稳后停止打杈，任其自然生长，瓜田按一株留2个果的原则，选留2个节位合适、外形标准的果实，摘除过低、过高节位的果实和畸形果及有外伤的果实，这项工作在座果期经常进行；第十一步，垫瓜、翻瓜、盖瓜，果实进入膨大期后，进行垫瓜、翻瓜和盖瓜；第十二步，病虫害防治；第十三步，采收，果实成熟度糖度达到14％至15％进行采收。

2.根据权利要求1所述的哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于哈密瓜种子为9818品种的哈密瓜种子或西周密25号品种的哈密瓜种子。

3.根据权利要求1或2所述的哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于优质腐熟有机肥为羊粪。

4.根据权利要求1或2或3所述的哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于瓜沟要求平直，做到底平口齐，吃水线一致。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于地膜离瓜沟沟底的距离为15cm至20cm；瓜地以豆类、苜蓿、粮食作物为宜，不与葫芦科及茄科作物连作，轮作倒茬年限为3年至5年。

6.根据权利要求1或2或3或4或5所述的哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于扣棚用竹片做成拱架扣棚，竹片长2.5m至3m、拱棚跨度为1.4m至1.5m，拱顶到沟底距离为1m至1.1m，竹片要求插紧、插实，棚膜两边拉紧压实，棚膜用压膜线扣紧。

7.根据权利要求1或2或3或4或5或6所述的哈密瓜二次座果栽培方法，其特征在于第七步中，通过盖棚膜或揭棚膜来调节棚内的湿度和温度，棚内的湿度为70%至80%，夜间温度为16℃至20℃，昼温为28℃至34℃，棚温降到22℃至25℃时关闭通风口，刮风以及阴天不通风，放风时风口由小到大，时间由短到长，晚间将膜边埋实压好，随着外界温度逐渐升高，应延长通风时间，加大通风量，逐渐加大揭膜面积，直至4月中下旬揭棚。