[发明专利]透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板

说明书

技术领域

本发明有关一种激光蚀刻方法，且特别有关于一种透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板。

背景技术

平面显示器与太阳能为目前国内重点产业，而以铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)制成的透明导电层则常应用在触控面板、平面显示器、抗静电膜、太阳能电池的透明电极、防反光涂布及热反射镜(heat reflecting mirror)上，目前ITO导电层大都镀于塑料基板作为软性触控面板材料，其轻薄、耐冲击及可挠曲等特性的优势，可望在可挠式(软式)显示器与太阳能板等应用領域取代导电玻璃。

习用ITO导电层主要由氧化锡及氧化铟组合而成，其氧化锡及氧化铟比例为1∶9。目前产业界常用的电极图案加工方法为微影蚀刻(lithography)，其制作方法复杂及耗时，亦容易造成ITO导电层表面化学污染。目前产业界开始采用雷射直接加工法(direct-write method)，以对ITO导电层直接进行激光蚀刻，该技术为干式制程，不仅降低设备成本，亦提高制程效率。再者，有别于上述无机金属镀层制作之ITO导电层，近年来开始采用有机透明导电层，上述有机透明导电层具良好的导电特性，例如：阻抗低、厚度可以低于100纳米(nm)、及透光率可以高于85％。此外，有机透明导电层经激光烧蚀后的残留物可以较少，且易于清理。

然而，不论是ITO导电层或是有机透明导电层，在激光蚀刻的过程中，部分的特定路径图案易产生蚀刻不足或是过度蚀刻的问题。于是，本发明人有感上述缺失之可改善，乃特潜心研究并配合学理之运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺失的本发明。

发明内容

本发明实施例在于提供一种透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板，能有效地改善现有特定路径图案易产生蚀刻不足或是过度蚀刻的问题。

本发明实施例提供一种透明导电板的激光蚀刻方法，包括：提供一透明导电板，其中该透明导电板具有一透明的绝缘基材及形成于该绝缘基材上的一透明导电层；于该透明导电层定义出一预设蚀刻路径，其中该预设蚀刻路径包含有一预设首尾相接路径、一预设T字形路径、及一预设直角路径的至少其中之一；以及以一激光设备持续地发出数次激光光束至该透明导电板的透明导电层，并且将投射至该透明导电层上的这些次激光光束中心点依循部分该预设蚀刻路径行进；其中，当在实施该预设首尾相接路径的蚀刻时，将这些次激光光束中心点在该透明导电层上沿一前路径与重叠衔接于该前路径起始处的一后路径行进，以蚀刻形成一首尾相接沟槽；当在实施该预设T字形路径的蚀刻时，将这些次激光光束中心点在该透明导电层上依序沿一横向路径与一未相交于该横向路径的纵向路径行进，以蚀刻形成一T字形沟槽；其中，该横向路径与该纵向路径的最短距离，其小于投射至该透明导电层上的激光光束直径并大于投射至该透明导电层上的激光光束半径；及当在实施该预设直角路径的蚀刻时，将这些次激光光束中心点在该透明导电层上依序沿一第一路径、一曲线路径、及大致垂直于该第一路径的一第二路径行进，以蚀刻形成一类直角沟槽。

本发明实施例另提供一种以上述透明导电板的激光蚀刻方法所制成的透明导电板。

综上所述，本发明实施例所提供的透明导电板的激光蚀刻方法及其所制成的透明导电板，通过在实施预设首尾相接路径、预设T字形路径、或预设直角路径的蚀刻时的具体路径调整，藉以能有效地改善现有特定路径图案易产生蚀刻不足或是过度蚀刻的问题。

为使能更进一步了解本发明之特征及技术内容，请参阅以下有关本发明之详细说明与附图，但是此等说明与所附图式仅系用来说明本发明，而非对本发明的权利范围作任何的限制。

附图说明

图1为本发明透明导电板的激光蚀刻方法的立体示意图。

图2A为图1中X区域的蚀刻路径示意图。

图2B为透明导电板依循图2A的蚀刻路径的蚀刻后示意图。

图3A为图1中Y区域的蚀刻路径示意图。

图3B为图1中Y区域的另一蚀刻路径示意图。

图3C为透明导电板依循图3A或图3B的蚀刻路径的蚀刻后示意图。

图4A为图1中Z区域的蚀刻路径示意图。

图4B为透明导电板依循图4A的蚀刻路径的蚀刻后示意图。

图4C为图1中Z区域的另一蚀刻路径示意图。

图4D为透明导电板依循图4C的蚀刻路径的蚀刻后示意图。

具体实施方式