[实用新型]一种含屏蔽罩的一体式陶瓷外壳有效
申请号: | 201420744904.0 | 申请日: | 2014-12-03 |
公开(公告)号: | CN204215954U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 肖红;冉隆科;刘继君;易理 | 申请(专利权)人: | 成都凯赛尔电子有限公司 |
主分类号: | H01H33/662 | 分类号: | H01H33/662;H01H33/664 |
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地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 屏蔽 体式 陶瓷 外壳 | ||
技术领域
本实用新型涉及一直瓷壳,尤其涉及一种含屏蔽罩的一体化真空灭弧室陶瓷外壳,属于真空灭弧室技术领域。
背景技术
真空灭弧室又名真空开关管,是中高压电力开关的核心部件,其主要作用是:通过管内真空优良的绝缘性,使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流,避免事故和意外的发生。其具有节能、节材、防火、防爆、体积小、寿命长、维护费用低、运行可靠和无污染等特点。因此,真空灭弧室的应用十分广泛,主要应用于电力的输配电控制系统,同时还应用于冶金、矿山、石油、化工、铁路、广播、通讯、工业高频加热等配电系统。
现有的真空灭弧室均采用金属屏蔽筒悬挂于真空灭弧室中的方法,起均衡电场、屏蔽及冷却电弧的作用。真空灭弧室有承受10000次机械寿命和承受短时工频耐压的要求,故要求屏蔽筒悬挂必须牢靠且与各相关零件间隙均匀。
目前,屏蔽筒采用焊料将其与瓷壳进行钎焊的方式固定。该种方式的屏蔽筒悬挂固然可靠,但仍然存在如下一些不足之处:
1.由于瓷壳加工工艺造成其椭圆度较大,与屏蔽筒装配后屏蔽筒极易偏斜,造成电场不均衡,常有该原因引起的瓷壳击穿事件发生;
2.由于金属屏蔽筒加工有金属毛刺,焊料在熔化的过程中有时也可能形成尖端,这种情况也容易使真空灭弧室发生瓷壳击穿;
3.金属屏蔽筒存在悬浮电位,容易导电,限制了真空灭弧室的尺寸进一步缩小。
发明内容
本实用新型的目的在于:针对上述存在的问题,提供一种含屏蔽罩的一体式陶瓷外壳,讲屏蔽罩与陶瓷外壳一体成形,并且采用曲面结合的方式,解决了现有屏蔽筒采用钎焊的方式与瓷壳固定,屏蔽筒可能偏斜而造成电场不均衡,另外金属屏蔽筒加工有毛刺,容易引起瓷壳击穿事件的发生,从而通过本实用新型一体式的陶瓷外壳,可以有效的解决现有技术中存在的不足之处。
本实用新型的技术方案是这样实现的:一种含屏蔽罩的一体式陶瓷外壳,包括圆柱形的陶瓷外壳本体,在陶瓷外壳本体的内壁上设置一个圆筒形的内置屏蔽罩,内置屏蔽罩与陶瓷外壳本体一体成型;内置屏蔽罩的外壁与陶瓷外壳本体的内壁设有上、下两个U形凹槽,该U形凹槽和内置屏蔽罩、陶瓷外壳本体之间均圆滑过渡。
在陶瓷外壳本体中间段的内壁上制作一个圆筒形状的结构,使它形成一个内置式的屏蔽罩来代替传统屏蔽筒的作用;在开断电流的过程中,圆筒形部分的结构会屏蔽触头产生的金属蒸汽,从而保证了真空灭弧室在触头打开位置时极间的内绝缘,起到传统屏蔽筒的作用。本实用新型所述的结构由于采用内置屏蔽罩与陶瓷外壳本体一体成型,不仅解决了屏蔽筒可能偏斜的问题,使电场分布均匀,而且U形凹槽和内置屏蔽罩、陶瓷外壳本体之间均圆滑过渡,使得各个边缘和拐角部分充分圆滑过渡,避免了金属毛刺,增强了内外绝缘。
本实用新型的优选方式之一,所述U形凹槽的底部为弧形的圆滑曲面,陶瓷外壳本体与U形凹槽之间通过该圆滑曲面圆滑过渡。
本实用新型的优选方式之一,所述U形凹槽的一端与内置屏蔽罩底部外壁形成弧形的二号圆滑曲面,内置屏蔽罩与U形凹槽之间通过二号圆滑曲面圆滑过渡。
本实用新型的优选方式之一,所述内置屏蔽罩截面为一个“K”字形。
该“K”字形是由上、下两个U形凹槽、内置屏蔽罩和陶瓷外壳本体一起形成的。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果:本实用新型陶瓷外壳与屏蔽罩一体成形,加工过程得以简化,具体来说,具备如下的优点:
1.采用本实用新型含屏蔽罩的一体式陶瓷外壳,解决了屏蔽筒可能偏斜的问题,使电场分布均匀;
2.屏蔽筒内的各个边缘和拐角圆滑过渡,避免了金属毛刺,增强了内外绝缘;
3.有效实现灭弧室的小型化,节省金属材料和焊料,由于不需要放置金属屏蔽筒,所以降低了装配难度,减少了成本。
附图说明
图1是本实用新型实施例1的剖面结构示意图。
图中标记:1-陶瓷外壳本体, 2-内置屏蔽罩,3-二号圆滑曲面,4-圆滑曲面,5-U形凹槽。
具体实施方式
下面结合附图,对本实用新型作详细的说明。
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1所示,实施例1:
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