[实用新型]用于薄片盘状物的清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体工艺制造领域，涉及一种用于薄片盘状物的清洗装置。

背景技术

在随着集成电路特征尺寸进入到深亚微米阶段，集成电路晶片制造工艺中所要求的晶片表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的30％。

目前常用的硅片清洗方法以单片湿法化学清洗为主，常用的单片湿法化学清洗的普遍方法为：卡盘夹持硅片旋转，同时使用不同的喷淋臂在硅片表面喷洒不同的工艺介质，使用环状的工艺腔体对工艺介质进行收集，最后借助氮气或其他介质甩干硅片。由于湿法化学清洗的过程用到多种酸碱试剂、有机溶剂、超纯水以及氮气等，喷淋各种清洗介质在同一工艺腔内往往会交叉污染，为减少因交叉污染对硅片清洗工艺带来不利的影响，需要对清洗硅片的不同介质进行分开处理，回收或者直接排放掉，除此以外，工艺过程中工艺腔内需要有较好的气流场抑制化学试剂挥发至工艺腔体的外围。

因此，本领域技术人员需对现有的薄片盘状物的清洗装置进行改进，减少因交叉污染对硅片清洗工艺带来不利的影响。

实用新型内容

针对现有技术的不足之处，本实用新型的目的是提供一种用于薄片盘状物的清洗装置，减少因交叉污染对硅片清洗工艺带来不利的影响。

本实用新型目的通过下述技术方案来实现：

本实用新型提供一种用于薄片盘状物的清洗装置，包括工艺腔，包括：

盘状物承载平台，包括卡盘和旋转轴，所述旋转轴安装在所述卡盘下方且与所述卡盘共轴线，所述旋转轴用于带动所述卡盘做自旋转运动；

第一驱动装置，设于所述旋转轴的下方，驱动所述旋转轴做升降运动或自旋转运动；

低速收集环，设于所述卡盘下方的圆周方向上，用于收集旋转轴低速旋转时排放的清洗介质，所述低速收集环上设有排液口用于排放清洗介质，所述排液口连接排液通道；

至少一个高速收集环，设于所述卡盘的外围，用于收集所述旋转轴高速旋转时排放的清洗介质，所述高速收集环下方设有第二驱动装置用于驱动所述高速收集环做升降运动；

所述工艺腔的腔壁高度大于所述低速收集环的环壁高度，当所述高速收集环下降至低档位时，所述高速收集环和所述低速收集环之间呈闭合状态，同时所述高速收集环和所述工艺腔腔壁之间呈打开状态，当所述高速收集环上升至高档位时，所述高速收集环和所述工艺腔腔壁之间呈闭合状态，同时所述高速收集环和所述低速收集环之间呈打开状态；切换高速收集环的高低档位，使其中任一高速收集环的一侧环壁与相邻的高速收集环、低速收集环或工艺腔腔壁呈打开状态并形成不同的排液通道。

优选的，所述工艺腔的腔壁外围设有抽气腔，所述工艺腔与所述抽气腔之间形成用于抽气的环形喷嘴，所述抽气腔的腔壁连接设有抽气泵的排气管道。

优选的，所述排气管道上设有用于调整排气量的气流微调装置。

优选的，所述抽气腔上方设有防止液体飞溅的遮挡环。

优选的，所述工艺腔与所述抽气腔之间设有排液通道，所述排液通道用于收集气流冷凝后形成的液滴。

优选的，所述盘状物承载平台的上方设有用于清洗盘状物的喷液管。

优选的，所述卡盘上设有至少三个用于夹持盘状物的夹持件。

本实用新型在工艺腔内设置低速收集环和至少一个高速收集环，通过调整高速收集环的高低档位，在工艺腔内划分不同的排液通道，减少清洗介质因交叉污染对硅片清洗工艺带来不利的影响，除此以外，抽气腔保持对工艺腔内的气流进行抽气，抑制化学试剂挥发至工艺腔体的外围，可实现对硅片清洗工艺中的不同清洗介质进行不同的排液处理，同时可实现对不同的工艺过程流场的排气控制，结构简单实用。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型中盘状物承载平台处在装载位置时的结构示意图；

图2为本实用新型通过调整高速收集环的高低档位形成的第一排液通道的结构示意图；

图3为本实用新型通过调整高速收集环的高低档位形成的第二排液通道的结构示意图；

图4为本实用新型通过调整高速收集环的高低档位形成的第三排液通道的结构示意图；

图5为本实用新型中盘状物承载平台处在卸载位置时的结构示意图。

图中标号说明如下：