[实用新型]晶圆清洗装置

说明书

技术领域

本实用新型涉集成电路制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

一般来说，芯片生产全部工艺过程中，高达20％的步骤为晶圆清洗。晶圆表面有四大常见类型的污染：微细颗粒；有机残余物；无机残余物；需要去除的氧化层。晶圆清洗的目的是为了去除附着于晶圆表面上的有机化合物、金属杂质或微细颗粒、需要去除的氧化层。

在金属铜互连工艺流程中，金属层可以由以下两种方式生产，一种为使用物理气相淀积(PVD)淀积金属铜，另一种为使用电镀(ECP)电镀金属铜(晶圆片必须浸泡于电化学镀溶液里才能实现)。以上方法使晶圆表面及背面均淀积或者电镀了金属铜。在之后的化学机械研磨(CMP)金属铜时，也会使晶圆背面产生多余的金属铜。因此，在晶圆进行金属铜电镀或者淀积等工艺后，必须将晶圆背面的金属铜清洗去除才能继续后续工序。否则，晶圆背面的金属铜会在后续工序中产生交叉污染的问题。其后果可能是金属铜的污染会造成p-n接触的漏电、缩减少数载子的生命期、降低闸极氧化层的崩溃电压。其中，晶圆背面的金属铜属于微细颗粒污染，通常采用传统的化学浸泡池和相应的清水冲洗除去。但是，现有技术中所使用的晶圆清洗装置对于晶圆边缘的金属铜仍然无法清洗干净。

综上，亟需提供一种新的晶圆清洗装置，以解决晶圆边缘上的金属铜未清洗干净，进而影响后续工序，产生交叉污染，产品良率低的问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，以解决现有技术中晶圆边缘上的金属铜未清洗干净，进而影响后续工序，产生交叉污染，导致产品良率低的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种晶圆清洗装置，所述晶圆清洗装置，包括：边缘清洗单元及嵌套于边缘清洗单元内部的中央清洗单元；

所述边缘清洗单元包括：清洗液储存单元及呈喇叭状分布的多个边缘清洗管；其中，所述多个边缘清洗管的输入端均与所述清洗液储存单元的输出端连接。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述多个边缘清洗管的输出端之间由金属丝连接，并且金属丝连接构成圆形，所述圆形的直径为0.7d～0.9d，其中，d为晶圆的直径。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述边缘清洗管的数量大于等于六个。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述边缘清洗单元还包括第二输入管；所述第二输入管与所述清洗液储存单元的输入端连接。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述中央清洗单元包括：第一输入管及与所述第一输入管输出端连接的中央清洗管；其中所述第一输入管嵌套于所述第二输入管内，并贯穿所述清洗液储存单元。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，中央清洗管的数量为三个，其中，每相邻两个中央清洗管之间成120ɑ。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述中央清洗管长度均为1cm～3cm。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述中央清洗管输出端与所述边缘清洗管输出端之间的垂直距离为0.5cm～2cm。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述边缘清洗单元中流通的液体为硫酸和去离子水的混合液。

可选的，在所述的晶圆清洗装置中，所述中央清洗单元中流通的液体为去离子水。

在本实用新型所提供的晶圆清洗装置中，通过将多个边缘清洗管呈喇叭状分布设置，可以将晶圆边缘上的金属铜清洗干净，避免了进行后续工序中，产生交叉污染；另外，所述第一输入管输出端连接有三个中央清洗管，可以将晶圆表面的中间位置的金属铜清洗得更彻底，进而改善了整个晶圆表面的洁净度，提高了产品的良率。

附图说明

图1是本实用新型实施例中晶圆清洗装置的结构示意图；

图2是本实用新型实施例中晶圆清洗装置的仰视图；

图3是本实用新型实施例中中央清洗单元的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶圆清洗装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图1，其为本实用新型实施例中晶圆清洗装置的结构示意图，如图1所示，所述晶圆清洗装置包括：边缘清洗单元1及嵌套于边缘清洗单元1内部的中央清洗单元2；所述边缘清洗单元1包括：清洗液储存单元10及呈喇叭状分布的多个边缘清洗管11；其中，所述多个边缘清洗管11的输入端均与所述清洗液储存单元10的输出端连接。