[发明专利]使用霍尔传感器组的感测装置和使用该感测装置的装置有效
申请号: | 201410737672.0 | 申请日: | 2014-12-05 |
公开(公告)号: | CN105044630B | 公开(公告)日: | 2020-02-07 |
发明(设计)人: | 金隐重;崔诚珉 | 申请(专利权)人: | 海驰株式会社 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
代理公司: | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王萍;韩炜 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 霍尔 传感器 装置 | ||
1.一种感测装置,包括:
多个霍尔传感器,所述多个霍尔传感器在具有彼此垂直的两个轴的面上彼此对称布置,其中,所述多个霍尔传感器中的每个霍尔传感器包括:
形成在半导体衬底上的高掺杂接触区;
与所述高掺杂接触区相邻的结区;以及
填充有绝缘材料且围绕所述高掺杂接触区的第一隔离区;
围绕所述多个霍尔传感器的保护环;
填充有绝缘材料且设置在所述多个霍尔传感器中的每个霍尔传感器和所述保护环之间的第二隔离区;以及
磁性元件,被设置为与所述多个霍尔传感器间隔开,并且被配置为生成磁场,
其中,所述多个霍尔传感器被配置为感测所述磁性元件的磁场,以及
其中,所述感测装置被配置为提供所述磁性元件的三维位置信息。
2.根据权利要求1所述的感测装置,还包括:
感测单元,包括所述多个霍尔传感器并且被配置为感测磁场的强度值;
信号放大器,被配置为放大通过所述感测单元感测到的磁场的强度值;
偏移控制器,被配置为控制通过所述感测单元感测到的磁场的强度值的偏移值;以及
控制器,被配置为将调整了所述偏移值的磁场强度值与预定阈值进行比较。
3.根据权利要求2所述的感测装置,其中,所述感测单元包括的所述多个霍尔传感器被布置为使得所述感测装置被配置成检测哪个霍尔传感器最靠近所述磁性元件。
4.根据权利要求1所述的感测装置,其中,所述多个霍尔传感器中的每个霍尔传感器还包括:
在所述结区下方的感测区。
5.根据权利要求1所述的感测装置,其中,所述多个霍尔传感器以矩形形状或者菱形形状被设置到各角处。
6.根据权利要求1所述的感测装置,其中,对预先储存于查表存储器的包含有所述磁性元件的极性、位置、以及强度信息的预定参考值与所感测到的检测信息进行比较,识别包含有所述磁性元件的本体。
7.根据权利要求1所述的感测装置,其中,所述多个霍尔传感器将至少一个霍尔传感器布置在彼此垂直的两个轴之间的各象限上。
8.一种用于感测磁场的装置,所述装置包括:
第一本体,包括相对于彼此垂直的两个轴彼此对称形成的传感器组,
其中,所述传感器组中的每个传感器组包括被配置成检测磁场的多个霍尔传感器,并且所述多个霍尔传感器中的每个霍尔传感器包括:
形成在半导体衬底上的高掺杂接触区;
与所述高掺杂接触区相邻的结区;以及
填充有绝缘材料且围绕所述高掺杂接触区的第一隔离区;
围绕所述多个霍尔传感器的保护环;
填充有绝缘材料且设置在所述多个霍尔传感器中的每个霍尔传感器和所述保护环之间的第二隔离区;以及
附接至所述第一本体的、具有磁性元件的第二本体,其中,所述磁性元件仅设置在通过彼此垂直的所述两个轴划分的四个象限中之一中,
其中,所述磁性元件生成所述磁场。
9.根据权利要求8所述的装置,还包括:
感测单元,其具有所述传感器组并且被配置为感测对于所述传感器组各自的磁场的强度值;
偏移控制器,其被配置为控制通过所述感测单元感测到的磁场的强度值的偏移值;以及
控制器,其被配置为对调整了所述偏移值的磁场的强度值与预定阈值进行比较,并且识别所述第二本体。
10.根据权利要求8所述的装置,其中,所述传感器组中的每个传感器组包括四个霍尔传感器。
11.根据权利要求9所述的装置,其中,所述传感器组中的每个传感器组以矩形形状或者菱形形状被设置到各角处。
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