[发明专利]纳米柱/针森林结构的图形化加工方法

权利要求书

1.一种纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是，所述图形化加工方法包括如下步骤：

（a）、准备并清洗提供的第一基片（101）和第二基片（102）；

（b）、在上述的第二基片（102）的下表面设置与第一基片（101）材料相似的第一基片相似材料层（103），在第二基片（102）上设置若干穿通结构（104），所述穿通结构（104）穿通第二基片（102）以及第一基片相似材料层（103），以形成镂空基片；

（c）、将上述镂空基片粘结在第一基片（101）的上表面，第一基片相似材料层（103）对应且邻近第一基片（101）上表面，第一基片（101）的上表面与镂空基片的下表面间在粘结后得到引入的距离，以在镂空基片的下表面与第一基片（101）的上表面间改变刻蚀气体等离子体（301）的运动轨迹；

（d）、采用各向异性刻蚀技术对镂空基片的上表面进行刻蚀，且利用镂空基片的穿通结构（104）对第一基片（101）的上表面进行刻蚀；

（e）、将镂空基片从第一基片（101）的上表面去除，以在第一基片（101）上得到与穿通结构（104）所在位置相对应的纳米柱/针森林结构（401）。

2.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述第一基片（101）、第二基片（102）包括单晶硅衬底、玻璃衬底、生长多晶硅层、氧化硅层或氮化硅层的单晶硅衬底或玻璃衬底、金属衬底、生长有金属层的单晶硅衬底或生长有金属层的玻璃衬底。

3.根据权利要求2所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述金属衬底包括铝衬底、铜衬底、钛衬底、金衬底、铂衬底或镍衬底，单晶硅衬底或玻璃衬底上的金属层包括铝层、铜层、钛层、金层、铂层或镍层。

4.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述第一基片相似材料层（103）与第一基片（101）的刻蚀选择比为0.7：1~1：0.7。

5.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述第一基片（101）的上表面与镂空基片的下表面间的引入距离为20μm~1mm。

6.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述穿通结构（104）包括若干贯通第二基片（102）以及第一基片相似材料层（103）的通孔，所述通孔的孔径为60μm~500μm。

7.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述各向异性刻蚀的气体包括Cl₂气体，或Br₂气体，或CF₃Br气体，或者Cl₂、He的混合气体，或SF₆、O₂、CHF₃的混合气体，或SF₆、Cl₂的混合气体，或Cl₂、He、O₂的混合气体，或SF₆、O₂的混合气体，或SF₆、Cl₂、O₂的混合气体。

8.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述纳米柱/针森林结构的底部为相互独立或两两相互连接。

9.根据权利要求4所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：所述第一基片相似材料层（103）与第一基片（101）的刻蚀选择比为1：1。

10.根据权利要求1所述的纳米柱/针森林结构的图形化加工方法，其特征是：镂空基片通过粘结胶带（201）粘结在第一基片（101）的上表面上，粘结胶带（201）分布于穿通结构（104）的外圈。