[发明专利]铜与低K介质材料的整合工艺在审
| 申请号： | 201410366361.8 | 申请日： | 2014-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105321871A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 金一诺;王坚;王晖 | 申请（专利权）人： | 盛美半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 材料 整合 工艺 | ||
1.一种铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，包括如下步骤：
在基底上沉积低K或超低K介质层；
对沉积的低K或超低K介质层进行等离子退火处理；
在低K或超低K介质层上沉积阻挡层；
在阻挡层上沉积铜种子层；
在铜种子层上沉积铜层，铜层填满基底上的图形结构并覆盖在基底的整个表层上；
采用化学机械平坦化工艺将基底表层上的铜层部分去除；
采用无应力抛光工艺将基底表层上剩余的铜层全部去除，停留至阻挡层；
采用热气相刻蚀工艺，将基底表层上的阻挡层全部去除。
2.如权利要求1所述的铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，在对沉积的低K或超低K介质层进行退火处理之后，在低K或超低K介质层上沉积阻挡层之前，还包括对低K或超低K介质层进行固化处理。
3.如权利要求2所述的铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，采用紫外线固化工艺，在封闭的充满氮气的空间内，将低K或超低K介质层加热至预定温度，然后采用预定波长的紫外线对低K或超低K介质层进行照射。
4.如权利要求1或2所述的铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，采用含氢气的等离子退火工艺对低K或超低K介质层进行退火处理。
5.如权利要求4所述的铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，采用He与H2的混合气体对低K或超低K介质层进行微波等离子退火处理。
6.如权利要求5所述的铜与低K介质材料的整合工艺，其特征在于，微波的波长为200nm以上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于盛美半导体设备(上海)有限公司，未经盛美半导体设备(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410366361.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
