[发明专利]一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法。

背景技术

一般来说，晶圆在存储、装载和卸载的过程中，尤其是在半导体器件的制造工艺中，会在晶圆表面留下残留物和微粒等污染物，因此，需要采用清洗的步骤来除去晶圆表面上的污染物。例如干法刻蚀后常采用湿法清洗对晶圆表面上的光刻胶残留物和聚合物进行清洗。但经湿法清洗后的晶圆经常会出现图形损坏的缺陷，如图1所示的栅极图形损伤和有源区图形损伤，这是因为在实际生产过程中，待清洗的晶圆经常会在例如干法工艺中或者在湿法工艺环境中聚集一些静电，如图2所示，这种累积的静电在湿法工艺的开始因为接触到带电的清洗液得以在瞬间释放，从而造成接触释放区域的图形损坏，如图3所示，在晶圆中心的接触带电清洗液的静电释放区图案层301发生了产生了图形损坏缺陷，如果这种图形损坏发生在关键的区域，如破坏了正面的氧化硅，氮化硅或者多晶硅等不可导电薄膜的时候，很容易导致整个晶圆器件的失效，造成晶圆的报废。

对于待清洗的晶圆为干法刻蚀之后的晶圆的情形，为了减少晶圆上的静电聚集，经常在晶圆刻蚀完成后通过在静电吸盘上加适当的反向电压(静电吸盘电源的电压翻转，dechuck)，使静电吸盘上的电荷分布变反，来中和晶圆上的电荷。然而，由于晶圆上的电荷的多少难以把握，静电吸盘电源的加载的反向电压的大小也难以把握，因此，现有的这种去除晶圆上静电的方法并不能对所有晶圆完整去除静电电荷，在随后的湿法清洗时仍然很容易产生因静电释放造成的图形损坏缺陷。

因此，迫切需要消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法，以避免晶圆的报废，提高晶圆器件的性能。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了解决目前湿法清洗中出现的图形损坏缺陷的问题，提供了一种消除湿法清洗中的图形损坏缺陷的方法包括：

提供待湿法清洗的晶圆；

在清洗所述晶圆的正面之前，先将所述晶圆上的静电从所述晶圆的背面导出。

作为优选，采用带电的清洗液喷洒所述晶圆的背面的方法将所述静电从所述晶圆的背面导出。

作为优选，用所述带电的清洗液喷洒所述晶圆的背面的时间为30秒到60秒。

作为优选，所述带电的清洗液的流量为80ml/min-100ml/min。

作为优选，所述带电的清洗液为DHF或SC1溶液。

作为优选，将所述静电从所述晶圆的背面导出之后，还包括对所述晶圆的正面进行清洗。

作为优选，对所述晶圆的正面进行清洗时，将所述带电的清洗液喷洒到所述晶圆的正面的中心。

作为优选，所述待湿法清洗的晶圆为干法刻蚀之后的晶圆。

作为优选，将所述干法刻蚀之后的晶圆上的静电从所述干法刻蚀之后的晶圆的背面导出之前，还包括对所述干法刻蚀之后的晶圆进行电荷释放。

作为优选，所述干法刻蚀之后的晶圆的电荷释放工艺在等离子刻蚀设备的腔室中进行。

根据本发明的方法，由于在对所述待湿法清洗的晶圆的正面进行清洗之前，先将静电从所述晶圆的背面导，从而避免了在对所述晶圆的正面进行清洗时，所述晶圆的正面图形因受静电影响所导致的图形损坏缺陷，从而避免了晶圆器件的报废，提高了晶圆器件的性能。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。

附图中：

图1是栅极图形损伤和有源区图形损伤的示意图；

图2是静电聚集在晶圆的表面的示意图；

图3是所述带电的清洗液喷洒所述晶圆正面时，静电在带电的清洗液的接触区瞬间释放造成图形损坏的示意图；

图4示出了本发明消除湿法清洗中图形损坏缺陷的一个实施例；

图5是根据本发明示例性实施例的用带电的清洗液将所述晶圆上的静电从所述晶圆的背面导出的示意图；

图6示出了本发明消除湿法清洗中图形损坏缺陷的另一个实施例。

附图标记列示如下：

201-图案层、202-衬底、301-损坏的图案层、302-衬底

具体实施方式