[发明专利]通孔过渡及其制作方法

说明书

本公开提供了一种通孔过渡，包括：两个端部分；高阻抗部分和低阻抗部分。所述高阻抗部分和所述低阻抗部分被交替布置在所述两个端部分之间，并且所述通孔过渡形成在基底中。本公开还提供了一种包括所述通孔过渡的功率分配器以及一种制造低通型通孔过渡的方法。

技术领域

本公开总体上涉及多层集成电路，更具体地，涉及一种通孔过渡(viatransition)及其制作方法。

背景技术

本部分用于提供本公开所述技术的各种实施例的背景技术。本部分中的描述可以包括可能追求的构思，但这些构思未必是先前构想或追求过的构思。因此，除非文中另有说明，本部分所述的内容不是本公开的说明书和/或权利要求的现有技术，并且不因仅被包括在本部分中而被认作现有技术。

通孔过渡被广泛地应用于多层集成电路，以便将布置在电路基底(substrate)的不同层上的并行传输线相互连接。

按图1所示的方式构造，传统通孔过渡由于辐射和反射而遭受显著的电学不连续，因此具有非常有限的应用带宽。通常，为了确保S参数S₁₁优于-14.99dB且S₂₁优于-1dB，传统通孔过渡必须操作在0到2.579GHz的频率范围内，如图2所示。

为了克服传统通孔过渡的带宽限制，提出了宽带通孔过渡，其中使用补助元件(诸如，通孔、腔体、衬垫和准同轴)来消除通孔过渡的电学不连续(例如，参见【1】-【3】)。

添加补助元件使得通孔过渡的制造变得相当复杂。此外，使用补助元件的通孔过渡的带宽不够宽，无法达到毫米波频段。

发明内容

综上，本公开的目标在于通过提供新结构的通孔过渡来避免上述缺点中的至少一个。本公开的另一目标在于提供一种制造这种通孔过渡的方法。

在本公开的一个方面，提供了一种形成在基底中的通孔过渡。所述通孔过渡包括高阻抗部分(segment)和低阻抗部分。高阻抗部分和低阻抗部分交替地布置在通孔过渡的两个端部分。

通过被构造为包括交替布置在两个端部分之间的高阻抗部分和低阻抗部分，根据本公开的第一方面的通孔过渡相较于使用额外补助元件的通孔过渡，具有更简单的结构。此外，由于通过交替布置的高阻抗部分和低阻抗部分形成的阶梯式阻抗低通滤波结构，可以有效地减小通孔过渡的辐射损耗和串扰，因此可以明显地增大通孔过渡的带宽。

在本公开的第二方面，提供了一种用于在基底中形成根据本公开的第一方面的通孔过渡的方法。所述方法包括以下步骤：形成端部分、高阻抗部分和低阻抗部分中的每一个，其中所述端部分、高阻抗部分和低阻抗部分延伸通过多个介电层中的一个或更多个。接下来，以高阻抗部分和低阻抗部分交替布置在两个端部分之间的方式，堆叠介电层。此后，对所有堆叠的层进行层压和共烧，以便形成多层化的结构。

根据本公开的第二方面，可以以高性价比的方式来制作根据本公开的第一方面的通孔过渡。

附图说明

根据以下参考附图的对本公开实施例的描述，将清楚本公开的上述和其他目标、特征和优点，附图中：

图1是根据现有技术的通孔过渡的透视图；

图2是示出了根据现有技术的通孔过渡的S参数S₁₁和S₂₁的仿真幅度-频率曲线的图；

图3是根据本公开实施例的通孔过渡的透视图；

图4示意性地示出了根据本公开实施例的通孔过渡的顶视图、底视图和侧视图；

图5是示出了根据本公开实施例的通孔过渡的等效电路的图；