[发明专利]通孔过渡及其制作方法

权利要求书

1.一种通孔过渡，包括：

两个端部分(L1，L5)；

高阻抗部分(L2，L3，L4)；以及

低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)，

其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)被交替布置在两个端部分(L1，L5)之间，并且所述通孔过渡形成在基底中，

其中每个部分延伸通过所述基底的一个或更多个介电层。

2.根据权利要求1所述的通孔过渡，其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底。

3.根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4，所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3。

4.根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中每个部分的形状都为圆柱形，且所有部分都是同轴对齐的。

5.根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小，低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大。

6.根据权利要求1或2所述的通孔过渡，其中所述两个端部分(L1，L5)被分别直接耦接到两个传输线。

7.根据权利要求6所述的通孔过渡，其中所述通孔过渡和所述传输线由金或银制成。

8.根据权利要求2所述的通孔过渡，其中所述LTCC基底由Ferro A6S制成，所述FerroA6S的介电常数为5.9且损耗因数为0.002。

9.根据权利要求2或8所述的通孔过渡，其中每个LTCC介电层的火后厚度为100um。

10.一种包括根据权利要求1-9中的任一个所述的通孔过渡的功率分配器。

11.一种用于在基底中形成通孔过渡的方法，所述通孔过渡包括两个端部分和高阻抗部分与低阻抗部分，其中高阻抗部分和低阻抗部分交替布置在两个端部分之间，所述方法包括：

形成(S701)端部分(L1，L5)、高阻抗部分(L2，L3，L4)和低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个，其中所述端部分(L1，L5)、高阻抗部分(L2，L3，L4)和低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)延伸通过多个介电层中的一个或更多个；

以所述高阻抗部分(L2，L3，L4)和所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)交替布置在两个端部分(L1，L5)之间的方式，堆叠(S702)介电层；以及

对所有堆叠的层进行层压(S703)和共烧，以便形成多层化的结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述基底是低温共烧陶瓷LTCC、高温共烧陶瓷HTCC、液晶聚合物LCP或有机印刷电路板PCB基底。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)的数目是4，所述高阻抗部分(L2，L3，L4)的数目是3。

14.根据权利要求11-13中的任一个所述的方法，其中每个部分的形状都为圆柱形，且所有部分都是同轴对齐的。

15.根据权利要求11-13中的任一个所述的方法，其中所述高阻抗部分(L2，L3，L4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更小，所述低阻抗部分(C1，C2，C3，C4)中的每一个的横截面面积比端部分(L1，L5)中的任一个的横截面面积更大。

16.根据权利要求11-13中任一个所述的方法，还包括：

在所述多个介电层的顶部介电层上形成传输线，以便将所述传输线与端部分(L1，L5)之一直接耦接；以及

在所述多个介电层的底部介电层上形成另一传输线，以便将所述另一传输线与端部分(L1，L5)中的另一端部分直接耦接。