[发明专利]高频放大电路

说明书

技术领域

本发明涉及将输入的高频信号放大后输出的高频放大电路。

背景技术

无线通信终端中使用着各种高频放大电路。这样的高频放大电路中，具有可改变多种动作模式的结构。例如，使用着专利文献1所示的高频放大电路。图17是专利文献1中记载的普通高频放大电路的电路图。

现有的高频放大电路10P包括由npn型晶体管构成的放大器101和偏置确定部20P。放大器101的发射极接地。放大器101的基极经由输入匹配电路901连接于输入高频信号的射频(RF)输入端子Pin。放大器101的集电极经由输出匹配电路902连接于输出经放大的高频信号的射频输出端子Pout。

放大器101的集电极经由线圈301连接于驱动电压施加端子P_VCC，从该驱动电压施加端子P_VCC将直流驱动电压V_CC施加于放大器101的集电极。驱动电压施加端子P_VCC与线圈301的连接点通过电容器401接地。

偏置确定部20P包括由npn型晶体管构成的偏置控制元件102。偏置控制元件102的发射极经由电阻201连接于高频放大用放大器101的基极。偏置控制元件102的集电极上连接有偏置用驱动电压施加端子P_VC0，从该偏置用驱动电压施加端子P_VC0将直流的偏置用驱动电压V_C0施加于偏置控制元件102的集电极。

偏置控制元件102的基极经由电阻202连接于控制电压输入端子P_VCTL，从该控制电压输入端子P_VCTL将直流的控制电压V_CTL施加于偏置控制元件102的基极。

这种现有的高频放大电路10P中，将与动作模式相对应的控制电压V_CTL施加于偏置控制元件102的基极。在低线性模式(Low Linearity Mode)下，降低控制电压V_CTL。从而，从偏置控制元件102提供给高频放大用放大器101的基极电流I_BB变低，能够降低输出的高频信号电平，抑制功耗。在高线性模式(Hi Linearity Mode)下，提高控制电压V_CTL。从而，从偏置控制元件102提供给高频放大用放大器101的基极电流I_BB变高，可提高输出的高频信号电平。

现有技术文献

专利文献1：特开平11-330866号公报

发明内容

但是，在现有的高频放大电路10P中，若如上述那样在低线性模式时降低基极电流I_BB，则与基极电流I_BB相比高频信号电平增大，向偏置控制元件102施加了高频信号的影响。因此，提供给高频放大用放大器101的基极电流I_BB也受到高频信号的影响。由此，作为高频放大电路的AM-AM特性和EVM特性恶化。

图18是表示现有的高频放大电路的相对于输出功率的集电极电流特性的图。图19是表示现有的高频放大电路的相对于输出功率的AM-AM特性的图。图20是表示现有的高频放大电路的相对于输出功率的EVM特性的图。此外，所谓AM-AM特性是表示输入功率与输出功率的相位变化的指标。而所谓EVM特性是Error Vector Magnitude(误差矢量幅度)特性的缩略语，是表示在有故障的状况下的解调器性能的指标。

如图18所示，在低线性模式时，与高线性模式相比，集电极电流I_CC被抑制得较低。

但是，如图19所示(参见粗箭头部分)，在超过5dBm的中间输出功率区域，AM-AM特性从0偏离，AM-AM特性劣化。与此相应，如图20所示(参见粗箭头部分)，EVM特性也劣化，变得高于高线性模式。

当前，随着数据传送量的增加，无线通信大都采用多值调制方式。但是，如上述那样，在现有的高频放大电路10P的结构的情况下，低线性模式中AM-AM特性和EVM特性较差，不能获得充分的解调性能。

本发明的目的在于，提供抑制低线性模式时的AM-AM特性、EVM特性劣化的高频放大电路。