[发明专利]高频放大电路

权利要求书

1.一种高频放大电路，所述高频放大电路包括

放大高频信号的高频放大器、

向高频放大器提供偏置电流的偏置电路、以及

确定所述偏置电流的控制电压输入端子，

所述偏置电路包括：

按照所述控制电压向所述高频放大器提供第一偏置电流的第一偏置控制元件；

按照所述控制电压向所述高频放大器提供第二偏置电流的第二偏置控制元件；以及

调整所述第一偏置控制元件的所述第一偏置电流输出端子和所述第二偏置控制元件的所述第二偏置电流输出端子之间的电位差的偏置调整电路。

2.如权利要求1所述的高频放大电路，其特征在于，

所述偏置调整电路包括：

在所述第一偏置控制元件的所述第一偏置电流输出端子和所述第二偏置控制元件的所述第二偏置电流输出端子之间连接的阻抗元件；

将所述第二偏置电流输出端子设定在不同的第一电位或第二电位中的任一者上的开关电路；以及

将偏置电流调整用电压施加于所述开关电路的偏置电流调整用电压施加端子。

3.如权利要求2所述的高频放大电路，其特征在于，

所述开关电路包括开关元件，所述开关元件根据来自所述偏置电流调整用电压施加端子的偏置电流调整用电压来进行通断控制。

4.如权利要求3所述的高频放大电路，其特征在于，

包括控制电压同步调整电路，所述控制电压同步调整电路利用所述偏置电流调整用电压来调整由对所述第一偏置控制元件和所述第二偏置控制元件的所述控制电压所得到的施加电压。

5.如权利要求3或4所述的高频放大电路，其特征在于，

所述高频放大器、所述第一偏置控制元件、所述第二偏置控制元件和所述开关元件为npn型晶体管。

6.如权利要求3或4所述的高频放大电路，其特征在于，

所述高频放大器、所述第一偏置控制元件和所述第二偏置控制元件为npn型晶体管，所述开关元件为场效应型晶体管。

7.如权利要求2至6中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

所述阻抗元件为电阻。

8.如权利要求2至6中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

所述阻抗元件由电阻与电容的并联电路构成。

9.如权利要求1至8中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

包括电压补偿电路，所述电压补偿电路基于对所述第一偏置控制元件和所述第二偏置控制元件的所述控制电压来补偿施加电压。

10.如权利要求1至8中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

所述电压补偿电路由在所述第一偏置控制元件和所述第二偏置控制元件的所述控制电压的施加点与接地之间级联连接的多个补偿用控制元件构成。

11.如权利要求1至10中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

将电容与电阻的并联电路连接在相比于所述高频放大器和所述偏置电路的连接点更靠高频信号被输入的一侧。

12.如权利要求1至11中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

多级连接所述高频放大器，

对于所述多级的高频放大器的每一级形成有所述偏置电路。