[发明专利]负型感光性硅氧烷组合物有效
申请号: | 201380018124.6 | 申请日: | 2013-04-05 |
公开(公告)号: | CN104254807B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 横山大志;能谷敦子;田代裕治;吉田尚史;田中泰明;福家崇司;高桥惠;谷口克人;野中敏章 | 申请(专利权)人: | AZ电子材料(卢森堡)有限公司 |
主分类号: | G03F7/075 | 分类号: | G03F7/075;G03F7/004;G03F7/40 |
代理公司: | 北京三幸商标专利事务所(普通合伙) 11216 | 代理人: | 刘激扬 |
地址: | 卢森堡(L-1*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光性 硅氧烷 组合 | ||
本发明提供可进行无机显影的负型感光性硅氧烷化合物、以及使用了其的固化膜的形成方法。一种负型感光性硅氧烷组合物,其包含聚硅氧烷、具有脲基键的含硅的化合物、聚合引发剂、以及溶剂。可通过将该组合物涂布于基材上,进行曝光,无需进行曝光后加热而进行显影,从而获得固化膜。
技术领域
本发明涉及负型感光性硅氧烷组合物。另外,本发明也涉及 使用了该负型感光性硅氧烷组合物的固化膜的制造方法、由该负 型感光性硅氧烷组合物形成的固化膜、以及具有该固化膜的元件。
背景技术
近年来,在显示器、发光二极管、太阳能电池等的光学元件 方面,以提高光利用效率和/或节能为目的而提出了各种各样的提 案。例如,在液晶显示器方面已知有如下方法:将透明的平整化 膜覆盖形成于薄膜晶体管(以下有时会称为TFT)元件上,在该平整 化膜上形成像素电极,从而提高显示装置的开口率(参照专利文献 1)。在有机电场发光元件(以下有时会称为有机EL元件)的构成方 面,也提出了如下的方法:通过由在形成于基板上的透明像素电 极上蒸镀形成发光层并且从基板侧将发光取出的方式(底部发射), 改变为将源自覆盖形成于TFT元件上的平整化膜上的透明像素电 极以及其上的发光层的发光在与TFT元件侧的相反侧取出的方式 (顶部发射),从而与液晶显示器同样地提高开口率(参照专利文献 2)。
另外,人们对显示器的高分辨化、大型化、以及高画质化的 要求在增高,另外伴随着3D显示等新的技术的导入,在配线上的 信号延迟成为问题。通过提高图像信息的改写速度(帧频率数),从 而缩短了信号向TFT输入的输入时间。然而,即使想要通过扩张 配线宽度而降低配线电阻从而改善响应速度,也因高分辨化等要 求而导致在配线宽度的扩张方面存在有限制。由此提出了通过增 大配线厚度而解决信号延迟问题(参照非专利文献1)。
作为这样的TFT基板用平整化膜的材料之一,已知有以聚硅 氧烷化合物和聚合引发剂为主的负型感光性材料。这样的聚硅氧 烷化合物是通过在催化剂的存在下将具有二官能的官能团的硅烷 化合物(例如二烷基二烷氧基硅烷)进行聚合而得到的化合物。而且,一般而言通过将这样的组合物涂布于基板而形成涂膜,将涂 膜曝光、显影、加热,从而形成平整化膜。此处,组合物通过曝 光而引发聚合反应,进行固化,但是没有到达至完全的固化。因 此,一般是在曝光后,进一步经由通过加热进行聚合反应的工序 (曝光后加热工序),然后进行显影。但是,从制造效率的观点来看, 这样的方法需要加热工序和/或花费在加热中使用的能量成本,因 而不优选。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第2933879号说明书
专利文献2:日本特开2006-236839号公报
专利文献3:再表(WO)2006-073021号公报
专利文献4:日本特开2011-190333号公报
非专利文献
非专利文献1:IMID/IDMC/ASIA DISPLAY 2008 Digest(9页 -12页)
发明内容
发明想要解决的课题
从这样的观点考虑,人们期望着开发出一种负型感光性硅氧 烷组合物,其具有既存的感光性组合物以上的灵敏度和/或分辨率, 形成的固化膜的光学特性或者物理特性为既存的固化膜以上,且 在固化膜的制造过程中不需要曝光后加热。
用于解决问题的方案
本发明的负型感光性硅氧烷组合物的特征在于,其包含:聚 硅氧烷、具有脲基键的含硅的化合物、光聚合引发剂、以及溶剂。
另外,本发明的固化膜的制造方法包含如下工序:将前述的 负型感光性硅氧烷组合物涂布于基板而形成涂膜,将涂膜曝光, 进行显影。
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