[实用新型]气相蚀刻装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种气相蚀刻装置，特别是涉及一种能够精确地以气体在晶圆背面特定位置进行蚀刻的气相蚀刻装置。

背景技术

一般晶圆是以单晶硅作为基材，其中可加入硼、磷、砷或锑等添加物，并以降低电阻值为目的。而在基材的工作面上通常会以化学气相沉积法(CVD)形成厚度约为5～100μm的磊晶层。为了避免基材本身的添加物在磊晶过程中挥发而扩散至磊晶层中，导致电阻值被改变，因此在进行磊晶过程之前，基材的背面必须先形成二氧化硅（SiO₂）层。

如图4所示，基材20的背面上形成二氧化硅层22之后成为待处理晶圆2。由于基材20的边缘通常会形成导角200，因此在二氧化硅层22成形时，二氧化硅层22也会形成于导角200表面。而在导角200表面的二氧化硅层22必须被去除，其目的是为了避免在后续磊晶过程中，因化学气相沉积法所使用的气体与导角200上的二氧化硅层22反应而产生突起物。此突起物会使得晶圆无法平放，致使晶圆在后续的光掩模、显影、曝光等过程无法均匀处理，进而降低精准度以及产品质量。

如图5所示，在导角200上的二氧化硅层22去除后，即可在基材20的工作面形成磊晶层24，进而获得晶圆2’。由此可知，将导角200表面上的二氧化硅层22去除的步骤对于晶圆2’的质量相当重要。

目前，已有通过公知气相蚀刻装置利用蚀刻气体针对导角200表面上的二氧化硅层22进行蚀刻的作法。然而，在此公知气相蚀刻装置中流动的蚀刻气体的流向并不稳定，因此在蚀刻之后虽然可成功将导角200表面上的二氧化硅层22去除，但其所需的蚀刻时间过长，使得基材20背面上剩余的二氧化硅层22’的边缘往往会发生凹凸不平的状况，并导致晶圆2’的质量无法达到客户可接受的标准。

因此，如何提供一种可缩短蚀刻时间，并在蚀刻之后使基材20背面上剩余的二氧化硅层22’的边缘平整化的气相蚀刻装置，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

实用新型内容

本实用新型提供一种气相蚀刻装置，其用以对待处理晶圆的边缘进行蚀刻。气相蚀刻装置包含座体、承载平台以及环状导气墙。座体具有环状出气口。承载平台设置于座体上且被环状出气口环绕。承载平台具有用以承载上述待处理晶圆且外缘位于上述待处理晶圆的边缘之内的第一顶面。环状导气墙设置于座体上，并环绕于环状出气口之外。环状导气墙具有内缘位于上述待处理晶圆的边缘之外的第二顶面。第一顶面相对座体具有第一高度。第二顶面相对座体具有第二高度。第二高度为第一高度的0.5～1.5倍。

在本实用新型作的一个实施方式中，上述的第二高度与第一高度相等。

在本实用新型作的一个实施方式中，上述的环状出气口等距地环绕于承载平台之外。

在本实用新型作的一个实施方式中，上述的环状导气墙等距地环绕于环状出气口之外。

在本实用新型作的一个实施方式中，上述的环状导气墙的内壁垂直于座体。

在本实用新型作的一个实施方式中，上述的环状导气墙的内壁由下向上朝向承载平台倾斜。

综上所述，本实用新型所提供的气相蚀刻装置是在环状出气口之外设置环状导气墙，并通过环状导气墙对由环状出气口流出的蚀刻气体进行导引。因此，蚀刻气体可由承载平台外壁与环状导气墙的内壁之间集中地通过，进而更密集地对待处理晶圆的边缘进行蚀刻。由此，本实用新型的气相蚀刻装置在安装环状导气墙之后，可以在更短的时间完成蚀刻工艺，并在蚀刻之后使基材背面上剩余的二氧化硅层的边缘平整化，因此可有效地提升产量，并有效地降低化学品的使用量。

附图说明

图1为示出本实用新型的一个实施方式的气相蚀刻装置与待处理晶圆的侧面剖视图，其中下压头尚未压抵待处理晶圆。

图2为示出图1的另一侧面剖视图，其中下压头已压抵待处理晶圆。

图3为示出本实用新型的另一实施方式的气相蚀刻装置与待处理晶圆的侧面剖视图。

图4为示出待处理晶圆的侧面剖视图。

图5为示出处理后晶圆的侧面剖视图。

[符号说明]

1、1’：气相蚀刻装置

10：壳体

100：排气口

12：座体

120：环状出气口

14：承载平台

140：第一顶面

150：环状间隙

16、16’：环状导气墙

160：第二顶面

18：下压头

2：待处理晶圆

2’：晶圆

20：基材