[实用新型]气相蚀刻装置有效
| 申请号： | 201320731984.1 | 申请日： | 2013-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN203674177U | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈文淇 | 申请（专利权）人： | 合晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国台湾桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种气相蚀刻装置，用以对待处理晶圆的边缘进行蚀刻，其特征在于，该气相蚀刻装置包含：
座体，具有环状出气口；
承载平台，设置于该座体上且被该环状出气口环绕，具有用以承载上述待处理晶圆且外缘位于上述待处理晶圆的边缘之内的第一顶面；以及
环状导气墙，设置于该座体上，并环绕于该环状出气口之外，具有内缘位于上述待处理晶圆的边缘之外的第二顶面；
其中该第一顶面相对该座体具有第一高度，该第二顶面相对该座体具有第二高度，并且该第二高度为该第一高度的0.5～1.5倍。
2.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置，其特征在于，其中该第二高度与该第一高度相等。
3.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置，其特征在于，其中该环状出气口等距地环绕于该承载平台之外。
4.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置，其特征在于，其中该环状导气墙等距地环绕于该环状出气口之外。
5.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置，其特征在于，其中该环状导气墙的内壁垂直于该座体。
6.根据权利要求1所述的气相蚀刻装置，其特征在于，其中该环状导气墙的内壁由下向上朝向该承载平台倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
