[实用新型]四氯化硅转化三氯氢硅反应器

说明书

技术领域

本实用新型属于多晶硅冷氢化生产装置，特别涉及一种四氯化硅转化三氯氢硅反应器。

背景技术

在国内多晶硅装置中，四氯化硅转化三氯氢硅的技术大都是采用电化学还原氢化的技术，俗称“热氢化”技术。该技术电耗高、四氯化硅转化率低、加热片需定期更换，生产成本高。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种适用于年产10万吨三氯氢硅生产工艺的四氯化硅转化三氯氢硅反应器。

本实用新型的技术方案是这样实现的：四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其特征在于：包括筒体以及设置在筒体上、下端的上封头和下封头，在所述上封头上设置有气体出口，在所述下封头上设置有气体进口，在所述筒体内、靠近下封头一端设置有带风帽的气体分布板，在所述筒体上部设置有至少一个硅粉进管，在所述筒体内设置有至少一个测温元件。

本实用新型所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其所述上封头呈椭圆状，所述下封头呈锥形。

本实用新型所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其所述硅粉进管与硅粉自动加料系统连接。

本实用新型所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其在所述气体出口的管路上设置有急冷液喷淋。

本实用新型所述的四氯化硅转化三氯氢硅反应器，其在所述反应器顶部上方设置有旋风分离器，所述旋风分离器的料腿插入反应器内部。

本实用新型适用于年产10万吨三氯氢硅的生产工艺，采用冷氢化技术，将四氯化硅和硅粉、氢气在本实用新型的结构中反应生成三氯氢硅，具有电耗低、生产成本低、转化率高的优点，同时可取消多晶硅生产中采用“热氢化技术”必须设置的尾气回收系统，对减少多晶硅装置的投资，降低工厂综合电耗更有利。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中标记：1为筒体，2为上封头，3为下封头，4为气体出口，5为气体进口，6为带风帽的气体分布板，7为硅粉进管，8为测温元件。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，一种四氯化硅转化三氯氢硅反应器，包括筒体1以及设置在筒体1上、下端的上封头2和下封头3，在所述上封头2上设置有气体出口4，在所述下封头3上设置有气体进口5，在所述筒体1内、靠近下封头3一端设置有带风帽的气体分布板6，在所述筒体1上部设置有两个硅粉进管7，在所述筒体1内设置有四个测温元件8，所述四个测温元件沿筒体径向分布。

其中，所述上封头2呈椭圆状，所述下封头3呈锥形，所述硅粉进管7与硅粉自动加料系统连接，在所述气体出口4的管路上设置有急冷液喷淋，在所述反应器顶部上方设置有旋风分离器，所述旋风分离器的料腿插入反应器内部。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。