[实用新型]研磨装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨装置。

背景技术

在半导体制造过程中，通常需要使用研磨工艺对半导体晶圆表面进行平坦化或研磨以去除不需要的薄膜。

现有研磨装置请参考图1，包括：研磨垫10、研磨头20、研磨调整器30、旋转臂31以及旋转盘32；其中，所述研磨头20用于吸附半导体晶圆，使半导体晶圆紧贴所述研磨垫10的表面，并所述研磨头20能够相对于所述研磨垫10进行移动并自转，从而使半导体晶圆在所述研磨垫10上进行研磨；所述旋转盘32与所述旋转臂31的一端连接，所述旋转臂31的另一端与所述研磨调整器30连接，所述旋转盘32能够带动所述旋转臂31以及所述研磨调整器30活动，所述研磨调整器30也紧贴所述研磨垫10，并相对于所述研磨垫10进行移动并自转，从而能够调整所述研磨垫10表面的平整度。

由于所述研磨头20和研磨调整器30均会在所述研磨垫10的表面进行活动，若所述研磨头20和研磨调整器30发生碰撞，则会导致半导体晶圆产生缺陷，严重甚至导致半导体晶圆报废；因此，在正常工艺中，所述研磨头20和研磨调整器30之间最小的距离L1应保持在5mm以上，以防止两者发生碰撞。然而，现有技术中，当所述研磨头20和研磨调整器30之间的最小距离小于5mm时并不会有报警提醒，不能及时发现，无法阻止上述问题的发生，极易容易造成半导体晶圆出现缺陷甚至报废。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨装置，能够在研磨头和研磨调整器之间的距离较小时发出报警，避免半导体晶圆出现缺陷或报废。

为了实现上述目的，本实用新型提出一种研磨装置，所述装置包括：

研磨单元和研磨调整单元；所述研磨单元包括研磨头和若干第一传感器，所述第一传感器设置于所述研磨头的边缘；研磨调整单元包括若干第二传感器、研磨调整器、旋转单元以及限位单元；其中，所述限位单元与所述旋转单元连接，所述研磨调整器与所述旋转单元连接，所述第二传感器设置于所述研磨调整器的边缘。

进一步的，所述研磨单元还包括研磨垫，所述研磨垫与所述研磨头和研磨调整器的下表面接触。

进一步的，所述研磨头与所述研磨调整器的距离范围大于等于5mm。

进一步的，所述研磨调整单元还包括旋转臂和旋转盘，所述旋转臂一端与所述旋转盘连接，所述旋转臂另一端与所述研磨调整器连接，所述限位单元与所述旋转盘连接。

进一步的，所述第一传感器和第二传感器均为位置传感器。

进一步的，所述第一传感器和第二传感器均为压力传感器。

进一步的，所述限位单元包括动态部件、静态部件以及限位螺丝；所述动态部件与所述静态部件连接；所述限位螺丝分为两个，分别固定在所述动态部件与静态部件相对的表面上。

进一步的，两个所述限位螺丝的初始位置范围是3cm～5cm。

进一步的，所述研磨装置还包括马达、驱动器以及控制器，所述马达与所述动态部件连接，所述驱动器与所述马达连接，所述控制器与所述驱动器连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：使用限位单元能够限制研磨调整器与所述研磨头之间最小的距离，传感器用于判断研磨调整器与所述研磨头之间最小的距离并发出相应的信号，从而避免了研磨调整器与所述研磨头距离过小甚至发生碰撞，进而避免了造成半导体晶圆出现缺陷或报废。

附图说明

图1为现有技术中研磨装置的结构俯视图；

图2为本实用新型一实施例中研磨装置的俯视图；

图3为本实用新型一实施例中研磨装置的结构示意图；

图4为实用新型一实施例中限位单元的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的研磨装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

在本实施例中，提出一种研磨装置，请参考图2，包括:研磨单元和研磨调整单元；所述研磨单元包括研磨头200和若干第一传感器410，所述第一传感器410设置于所述研磨头200的边缘；研磨调整单元包括若干第二传感器420、研磨调整器300、旋转单元以及限位单元；其中，所述限位单元与所述旋转单元连接，所述研磨调整器300与所述旋转单元连接，所述第二传感器420设置于所述研磨调整器300的边缘。