[实用新型]一种改进型TO－92MOD封装用引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片封装技术领域，特别是涉及一种改进型TO－92MOD封装用引线框架。

背景技术

现在市场上TO-92MOD封装的各种半导体器件，由于封装体积小、功率大，被广泛应用在家电、电器、电光源、和光伏产业上。在半导体封装测试领域，应用在TO-92MOD封装的框架（铜），是采用载片区全镀银，和宽底筋框架封装，金属银、铜消耗大，特别是近些年有色金属价格快速上涨，使产品的成本控制压力增大。同时，产品在长期使用后，框架载片区的银与塑封体间出现分层现象，气密性下降，使产品的可靠性降低，使用寿命缩短。所述现有的弱点和技术缺陷值得改进。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种可减少金属银、铜的消耗，并提高产品封装后的气密性和可靠性，延长使用寿命的改进型TO－92MOD封装用引线框架。

采用的技术方案是：

一种改进型TO－92MOD封装用引线框架，包括载片区、裸铜区、镀银区、底筋。所述的载片区是将原铜制框架载片区全部镀银改为局部的镀银区，镀银区四周为裸铜区；缩小了所述框架底筋宽度。

上述的局部的镀银区其面积为2×2mm²。

上述的缩小的框架底筋宽度缩小为3.2mm。

本实用新型取得的有益效果：

1、改进后的框架，银的使用量降低60%，铜的使用量降低25%，经济效益可观。

2、改进后的框架，载片区为局部镀银，镀银区四周为裸铜，塑封时裸铜与塑封体直接接触，铜和塑封体的接触，与银和塑封体接触比较：经盐水气密性试验，铜和塑封体接触的气密性，远远好于银和塑封体接触的气密性。

3、使用改进型TO-92MOD框架，可使产品的气密性提高，产品的可靠性也将得到提高。

4、使用改进型TO-92MOD框架封装的产品，经168小时高温老化后，经测试各项电参数正常，解剖后显微镜下观察，铜与塑封体间 无分层现象。

附图说明

图1是本实用新型结构示意图。

附图中，1、载片区； 2、裸铜区； 3、镀银区；4、底筋。

具体实施方式

一种改进型TO－92MOD封装用引线框架，包括载片区1、裸铜区2、镀银区3、底筋4。所述的载片区1是将原铜制框架载片区全部镀银改为局部的镀银区3，所述镀银区3其面积为2×2mm²，镀银区3四周为裸铜区2；缩小了所述框架底筋4宽度，其框架底筋宽度缩小为3.2mm。