[实用新型]一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电光取样技术探测太赫兹波技术领域，尤其涉及一种共面结构型电光聚合物薄膜传感技术。

背景技术

目前的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件主要是由两平行电极组成的简单传感器件，只有一个电极通道。由于结构简单，电极厚度小等原因，这种共面结构型电光聚合物薄膜器件存在如下不足：

(1)电光聚合物薄膜利用率低

传统的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件只有一个电极通道，能有效利用的电光聚合物薄膜仅存在电极之间很狭窄的电极间隙里，成膜面积小，影响电光聚合物薄膜的利用率。

(2)有效电场低

现有的共面结构型电光聚合物薄膜器件的电极制作工艺简单，一般电极厚度在几个微米，当对电光聚合物薄膜极化时，电场分布不均匀，有效场强低，聚合物薄膜所表现出的宏观非线性光学效应小，在作为探测太赫兹波的传感器件时，影响传感器件的探测效率。

(3)应用不够便捷

由于单一的共面结构型电光聚合物结构简单，并无外接电路，在极化和用作传感器件时，给使用者带来了极大不变。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决共面结构型电光聚合物薄膜传感器件电光聚合物薄膜利用率低、有效电场低和应用不方便的问题，提供一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件。

本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件包括共面结构型电光聚合物薄膜器件1、陶瓷电路板2和封装屏蔽壳3，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1为正方形薄板，陶瓷电路板2的下表面中心位置开设有正方形的凹槽，所述正方形的凹槽的边长小于共面结构型电光聚合物薄膜器件1的边长，陶瓷电路板2的上表面中心位置开有薄膜固定槽，所述薄膜固定槽为正方形、且其边长与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的边长相等，所述薄膜固定槽的底部与正方形的凹槽的顶部连通，共面结构型电光聚合物薄膜器件1嵌入固定在薄膜固定槽内，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1与陶瓷电路板2的连接处通过硅化铝焊接固定，封装屏蔽壳3固定在陶瓷电路板2中心的正上方、且覆盖共面结构型电光聚合物薄膜器件1，所述共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端位于封装屏蔽壳3的内侧，所述封装屏蔽壳3设置有石英窗口，所述石英窗口位于共面结构型电光聚合物薄膜器件1的正上方。

本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的陶瓷电路板2上设有两个焊盘4，所述两个焊盘4均位于封装屏蔽壳3的外侧，且所述两个焊盘4分别通过覆铜线与共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端连接。

本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的共面结构型电光聚合物薄膜器件1采用微观插指结构，所述微观插指结构的两个电极输出端即为共面结构型电光聚合物薄膜器件1的两个电极输出端。

本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的封装屏蔽壳3由一个底面和四个侧面构成，所述底面和四个侧面围成立方体空间，四个侧面的开口侧与陶瓷电路板2的上表面固定连接。

本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件的插指电极由多对电极组成，电光聚合物薄膜利用率提高5倍以上，电极厚度与现有技术相比提高了一个数量级，使得响应探测效率高20％～30％，陶瓷电路板上设有焊盘用来引出导线，应用更加便捷。

附图说明

图1为本实用新型所述的一种用于太赫兹波探测的共面结构型电光聚合物薄膜传感器件结构示意图的正式图；

图2为图1的俯视图。

具体实施方式