[实用新型]双全桥注入锁相功率合成霓虹灯

说明书

技术领域

本实用新型涉及电光源照明技术领域，具体是一种双全桥注入锁相功率合成霓虹灯。

背景技术

现有技术电子镇流器通常用LC或RC振荡器作为功率合成霓虹灯电光源，产生的振荡频率受温度变化稳定性差影响功率不够稳定，导致光强下降，虽然结构简单，成本低。要得到大功率照明势必增大电流，致使振荡功率管功耗剧增温升过高导致振荡频率变化，结果会使灯光随频率变化功率幅值失衡。同时，大电流通过线圈温升高磁性导磁率下降，磁饱和电感量变小阻抗趋向零，灯具工作时间与温升正比，温升高加速器件老化，轻则灯管发光不稳定亮度下降，重则烧坏器件缩短使用寿命。逆变器功率叠加拖动大功率灯，解决器件功率容量限制。但是，要求功率合成振荡电压相位一致，克服非线性互调功率不均衡。

发明内容

本实用新型的目的是提供逆变振荡高稳频相位同步，商业装饰广告照明的一种双全桥注入锁相功率合成霓虹灯。

本实用新型技术解决方案为：包括电源滤波器EMI、整流桥堆、霓虹灯管，其特征在于：还包括功率因数校正APFC、基准晶振、分频器、两个自振荡芯片、全桥逆变器A、全桥逆变器B、相加耦合器、整流电路、灯管异常电流检测器，其中，基准晶振由石英晶体谐振器、两个反相器及电阻、电容组成，第一个反相器输入与输出两端跨接偏置电阻，并分别并接接地电容，同时，还跨接串联微调电容的石英晶体谐振器，基准晶振输出信号经第二个反相器接入分频器，自振荡芯片内含振荡器、全桥逆变驱动电路，两个自振荡芯片振荡器共接电阻R₁₁、电容C₁₄同步振荡，输出分别经全桥逆变驱动电路连接均由四个功率MOS场效应管两组互补半桥构成的全桥逆变器A、全桥逆变器B，自振荡芯片及全桥逆变器A输出功率变压器T₂与自振荡芯片及全桥逆变器B输出功率变压器T₃反相馈入相加耦合器功率合成、升压经整流电路接入霓虹灯管，基准晶振信号经分频器注入两个自振荡芯片EXO端锁定相位，灯管异常电流检测器信号经三极管接入两个自振荡芯片SD端，控制振荡快速停振关断全桥逆变器功率MOS场效应管，电网电源经电源滤波器EMI、整流桥堆至功率因数校正APFC接入基准晶振、分频器、自振荡芯片及全桥逆变器A和自振荡芯片及全桥逆变器B的电源端；

其中，整流电路由高频高压桥堆VD₁₄～VD₁₇接入相加耦合器T₄电感L₁₁，整流输出接入霓虹灯管一端，霓虹灯管另一端穿过灯电流检测互感磁环接地，电感L₁₂接二极管VD₁₃检波，电容C₁₉、电阻R₁₅滤波经电阻R₁₂、R₁₃分压、三极管触发两个自振荡芯片灯故障保护控制端SD；

功率因数校正APFC由芯片IC₄、大功率MOS场效应管Q₅、升压二极管VD₁₂、磁性变压器T₁及电阻、电容组成，整流桥堆输出经磁性变压器T₁电感L₃接Q₅漏极、升压二极管VD₁₂至电容C₁₁作为APFC输出，二极管VD₁₁供C₁₁预充电，电阻R₄接整流桥堆输出引入IC₄芯片电源端，并与磁性变压器T₁电感L₄经二极管VD₅检波电压为IC₄芯片控制门限开启，电阻R₂、R₃接整流桥堆输出分压取样接入IC₄芯片乘法器一端，乘法器另一端接电阻R₈、R₉分压取样输出电压，乘法器输出与Q₅源极接地电阻点连接峰值电流检测比较器，IC₄芯片输出接Q₅栅极，磁性变压器T₁电感L₅高频电压由二极管VD_6～9整流、二极管VD₁₀稳压、电容C₁₂滤波接基准晶振、分频器电源端。