[实用新型]光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池有效
| 申请号： | 201320211259.1 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN203288603U | 公开（公告）日： | 2013-11-13 |
| 发明（设计）人： | 许志龙;皮钧;刘菊东;黄种明;杨小璠;任永臻;侯达盘;刘伟钦;林忠华 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 朱凌 |
| 地址： | 361021 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光面 晶体 陷光膜 复合 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池，其特征在于:它包括光面晶体硅、氧化膜钝化层、高透陷光膜;所述的高透陷光膜、氧化膜钝化层、光面晶体硅由上至下层叠，其折射率由上至下梯度增大；所述的氧化膜钝化层溅射于光面晶体硅的朝阳面上，所述的高透陷光膜复合在氧化膜钝化层上。
2.如权利要求1所述的光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池，其特征在于：所述的高透陷光膜为添加微量元素的高透PVC或PU材料，高透陷光膜的膜表面微结构为球形、圆锥或金字塔形，陷光膜厚为100-200μm。
3.如权利要求2所述的光面晶体硅-陷光膜复合太阳能电池，其特征在于：所述高透陷光膜的金字塔微结构谷底夹角α为36°-90°。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
