[发明专利]凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）取衬底（101），在衬底（101）上表面刻蚀有凹槽（102），凹槽（102）个数为单个或者多个,当凹槽（102）个数为多个时，相邻两个凹槽（102）的间距为5nm-5um，并且在多个凹槽（102）的同一端还刻蚀有一个将多个凹槽连通的连通槽（108）；其中，所述的衬底（101）材料为SiO₂、SiO₂/Si、石英或塑料；

2）在衬底（101）上的凹槽（102）槽底和连通槽（108）槽底淀积一层导电材料作为栅电极（103），在凹槽（102）槽底的栅电极（103）上再淀积一层栅介质（104）；其中，所述的导电材料为金属、半导体或聚合物材料，所述的栅介质（104）为SiO₂、Si₃N₄、Ta₂O₅、Pr₂O₃、HfO₂、Al₂O₃或ZrO₂；

3）在衬底（101）上表面转移一层完全覆盖凹槽（102）的石墨烯薄膜（105），凹槽（102）内的栅介质（104）和石墨烯薄膜（105）之间有空气间隔；

4）在石墨烯薄膜（105）上位于凹槽（102）两侧的位置各淀积一层导电材料，一侧作为源极（106）、另一侧作为漏极（107）；其中，所述的导电材料为金属、半导体或聚合物材料。

2.根据权利要求1所述的凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，其特征在于：凹槽（102）的宽度小于2um、深度为50nm~100μm，栅电极（103）层厚度为30nm~30μm，栅介质（104）层厚度为1nm~20μm。

3.根据权利要求1或2所述的凹槽结构的悬空石墨烯沟道晶体管的制备方法，其特征在于：所述的石墨烯薄膜（105）为单层或多层。