[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

注入处理室，向被处理物注入离子；

高电压部，其具备生成所述离子的离子源部及设置于所述离子源部与所述注入处理室之间的射束输送部；及

高电压电源系统，其在多个能量设定中的任一设定下对所述高电压部施加电位，

所述高电压电源系统具备用于使流入所述被处理物的射束电流返回到所述离子源部的多个电流路径，使所述多个能量设定分别与所述多个电流路径中的任1个电流路径对应。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个能量设定包括适合输送低能量离子束的第1能量设定及适合输送高能量离子束的第2能量设定，

所述多个电流路径具备用于使从所述低能量离子束流入所述被处理物的射束电流返回到所述离子源部的第1电流路径。

3.根据权利要求2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述多个电流路径具备用于使从所述高能量离子束流入所述被处理物的射束电流返回到所述离子源部的第2电流路径。

4.根据权利要求2或3所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1电流路径连接所述被处理物的电位的部位与所述离子源部的电位基准，以使所述离子源部的电位基准成为所述被处理物的电位。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1电流路径具备向所述离子源部施加正电位的第1电源，所述第1电源的正极连接于所述离子源部，

所述第1电流路径具备第1开关，在所述第1能量设定下该第1开关将所述第1电源的负极连接到所述被处理物的电位的部位，以形成所述第1电流路径。

6.根据权利要求5所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1开关在所述第2能量设定下将所述第1电源的负极连接到所述射束输送部，

所述高电压电源系统的第2电流路径经由所述射束输送部及所述第1开关。

7.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2电流路径具备将相对于所述被处理物的电位基准为正电位或负电位的电位施加于所述射束输送部的第2电源、及与所述第1开关同步动作的第2开关，

所述第2开关在所述第2能量设定下将所述第2电源连接到所述射束输送部，以将所述正电位施加到所述射束输送部。

8.根据权利要求7所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2开关在所述第1能量设定下将所述第2电源连接到所述射束输送部，以将所述负电位施加到所述射束输送部。

9.根据权利要求2～8中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述低能量离子束为低能量/高电流射束，而所述高能量离子束为高能量/低电流射束。

10.根据权利要求2～9中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1能量设定被设定为向所述离子源部施加第1源电位，且向所述射束输送部施加第1射束输送电位，

所述第1源电位相对于所述被处理物的电位基准为正电位，

所述第1射束输送电位相对于所述被处理物的电位基准为负电位。

11.根据权利要求2～10中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第2能量设定被设定为向所述离子源部施加第2源电位，向所述射束输送部施加第2射束输送电位，

所述第2源电位相对于所述射束输送部的电位为正电位，

所述第2射束输送电位相对于所述被处理物的电位基准为正电位。

12.根据权利要求2或3所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1电流路径具备：

第2电源，向所述射束输送部施加相对于所述被处理物的电位基准为正电位或负电位的电位；及

电阻器，其为了使从所述低能量离子束流入所述被处理物的射束电流通过所述第2电源返回到所述离子源部而设置。

13.一种离子注入方法，其特征在于，具备如下工序：

在多个能量设定中选择任一能量设定的工序；

根据所选能量设定向离子注入装置的高电压部施加电位的工序；及

在所述所选能量设定下向被处理物注入离子的工序，

所述离子注入装置具备用于使流入所述被处理物的射束电流返回到离子源部的多个电流路径，所述多个能量设定分别与所述多个电流路径中的任1个电流路径对应。