[发明专利]绝缘栅双极晶闸管模块及电极功率端子

权利要求书

1.一种电极功率端子，其特征在于，至少包括，第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极由一多层板构成，所述多层板包括N层电极板，相邻两层电极板之间设置有绝缘板，其中，M层电极板之间通过至少一个第一通孔实现电气连接构成所述第一电极，且各个所述第一通孔与除所述M层电极板以外的每一电极板均电气绝缘，除所述M层电极板以外的至少一层电极板构成所述第二电极；

其中，M≥2，N≥3，N>M，M、N均为自然数。

2.根据权利要求1所述的电极功率端子，其特征在于，所述除所述M层电极板以外的电极板至少包括两层，所述除所述M层电极板以外的至少一层电极板构成所述电极功率端子的第二电极，具体为，除所述M层电极板以外的每一电极板通过至少一个第二通孔实现电气连接构成所述第二电极，且所述第二通孔与所述M层电极板的每一电极板均电气绝缘。

3.根据权利要求1所述的电极功率端子，其特征在于，还包括第三电极，所述除所述M层电极板以外的电极板至少包括两层，所述除所述M层电极板以外的电极板包括第一部分和第二部分，其中，所述第一部分的电极板构成所述第二电极，所述第二部分的电极板构成所述第三电极。

4.根据权利要求3所述的电极功率端子，其特征在于，所述第一部分至少包括两层电极板，所述第一部分的电极板通过至少一个第二通孔实现电气连接构成所述第二电极。

5.根据权利要求3或4所述的电极功率端子，其特征在于，所述第二部分至少包括两层电极板，所述第二部分的电极板通过至少一个第三通孔实现电气连接构成所述第三电极。

6.一种绝缘栅双极晶闸管模块，其特征在于，包括，至少一个衬板，位于所述衬板之上的至少一个IGBT芯片、至少一个FRD芯片以及电极功率端子，所述电极功率端子采用权利要求1-5任一项所述的电极功率端子，所述第一电极为集电极，所述第二电极为发射极；

所述IGBT芯片的集电极和所述FRD芯片的阴极与所述电极功率端子的集电极电气连接，所述IGBT芯片的发射极和FRD芯片的阳极与所述电极功率端子的发射极电气连接；

其中，至少一个IGBT芯片和/或至少一个FRD芯片到与其电气连接的所述电极功率端子之间的电流路径呈近似直线的路径，在所述电极功率端子和所述衬板之间形成的至少一个电流环路垂直于所述衬板。

7.根据权利要求6所述的模块，其特征在于，在同一所述衬板上，所述电极功率端子位于所述衬板中心线上，所述衬板上设置有至少两个IGBT芯片和至少两个FRD芯片，所述IGBT芯片在所述衬板上的位置关于所述衬板的中心线轴对称，和/或，所述FRD芯片在所述衬板上的位置关于所述衬板的中心线轴对称。

8.根据权利要求6所述的模块，其特征在于，在同一所述衬板上，所述IGBT芯片和FRD芯片位于所述电极功率端子的同一侧。

9.一种绝缘栅双极晶闸管模块，其特征在于，包括至少一个衬板，位于所述衬板之上的至少两个IGBT芯片、至少两个FRD芯片以及电极功率端子，所述电极功率端子采用权利要求3-5任一项所述的电极功率端子，所述第一电极为直流正电极，所述第二电极为交流输出极，所述第三电极为直流负电极；

所述模块电路为半桥电路，其中，至少一个IGBT芯片和至少一个FRD芯片组成上半桥臂，其它至少一个IGBT芯片和其它至少一个FRD芯片组成下半桥臂；

组成所述上半桥臂的IGBT芯片的集电极和FRD芯片的阴极与所述直流正电极电气连接，组成所述上半桥臂的IGBT芯片的发射极和FRD芯片的阳极与所述电极功率端子的交流输出极电气连接；

组成所述下半桥臂的IGBT芯片的集电极和FRD芯片的阴极与所述电极功率端子的交流输出极电气连接，组成所述下半桥臂的IGBT芯片的发射极和FRD芯片的阳极与所述直流负电极电气连接；

其中，至少一个IGBT芯片和/或至少一个FRD芯片到与其电气连接的所述电极功率端子之间的电流路径呈近似直线的路径，在所述电极功率端子和所述衬板之间形成的至少一个电流环路垂直于所述衬板。

10.根据权利要求9所述的模块，其特征在于，在同一所述衬板上设置有至少两个IGBT芯片和至少两个FRD芯片，所述电极功率端子位于所述衬板中心线上，所述IGBT芯片位于所述电极功率端子的两侧，和/或，所述FRD芯片位于所述电极功率端子的两侧。