[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201310455200.1 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103500746A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 蔡振飞;罗丽平;郝昭慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李相雨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
平板显示装置相比与传统的阴极射线管显示装置具有轻薄、驱动电压低、没有闪烁抖动以及使用寿命长等优点;平板显示装置分为主动发光显示装置与被动发光显示装置;例如,薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)就是一种被动发光显示装置,由于其具有画面稳定、图像逼真、消除辐射、节省空间以及节省能耗等优点,被广泛应用于电视、手机、显示装置等电子产品中,已占据了平面显示领域的主导地位。
液晶显示装置主要包括液晶显示面板以及驱动该液晶显示面板的驱动装置;液晶显示面板主要包括相对设置的第一基板和第二基板;通常,第一基板和第二基板分别为阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括纵横交错设置的多条数据线以及多条扫描线,数据线和扫描线限定出一个个像素区域,每个像素区域均设置有薄膜晶体管。驱动装置包括将扫描信号输出至扫描线的栅极驱动电路以及将数据信号输出至数据线是源极驱动电路。
如图1中所示,数据线1的端部为贴合区域2,即与源极驱动电路或者其他控制电路连接的区域,相邻贴合区域2之间的区域为非贴合区域3,在贴合区域2以及非贴合区域3均覆盖有钝化层5,从而起到防止数据线1被氧化以及受到物理损伤;在钝化层5上开设有过孔4,源极驱动电路或者其他控制电路通过过孔4与数据线1连接。如图3中所示,由于现有技术中,贴合区域2覆盖的钝化层与衬底基板之间还设置有数据线1以及有源层8等,这样造成贴合区域2覆盖的钝化层与非贴合区域3覆盖的钝化层的高度差异很大,因此时常发生如图2中所示的钝化层脱落现象,例如,图示中的A区域即钝化层脱落的区域。在钝化层脱落之后,暴露出的数据线1很容易被氧化或者受到物理损伤或者被污染物腐蚀,从而引起接线不良。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种能够改善贴合区域覆盖的钝化层与非贴合区域覆盖的钝化层脱落现象的阵列基板;进一步的,本发明还提供了一种该阵列基板的制备方法以及应用该阵列基板的显示装置。
(二)技术方案
本发明技术方案如下:
一种阵列基板,包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的多列数据线;各列数据线的端部为贴合区域,相邻贴合区域之间的区域为非贴合区域,所述非贴合区域覆盖有钝化层;所述非贴合区域覆盖的钝化层与衬底基板之间设置有增高层。
优选的,所述阵列基板上还设置有栅极金属层;所述增高层与所述栅极金属层同层设置且材质相同。
优选的,所述数据线的端部与衬底基板之间设置有有源层;所述增高层的厚度等于所述数据线与所述有源层的厚度之和。
优选的,所述增高层的长度不小于所述贴合区域的长度。
本发明还提供一种阵列基板制备方法:
一种阵列基板制备方法,包括形成上述任意一种增高层的步骤。
优选的,包括:
同时形成栅极金属层以及增高层;
形成栅绝缘层、有源层、数据线、源漏金属层、钝化层以及过孔。
优选的,所述同时形成栅极金属层以及增高层进一步包括:
在衬底基板上沉积金属薄膜;
通过构图工艺形成所述栅极金属层以及增高层图案。
优选的,所述形成所述栅极金属层以及增高层图案进一步包括:
在所述金属薄膜上涂覆一层光刻胶;
通过掩膜板曝光,形成对应所述增高层以及栅极金属层的光刻胶保留区域以及对应上述区域之外区域的光刻胶去除区域;
显影处理后,通过刻蚀工艺去除光刻胶去除区域的金属薄膜;
剥离剩余的光刻胶。
本发明还提供了一种包括上述任意一种阵列基板的显示装置。
(三)有益效果
本发明所提供的阵列基板,通过在非贴合区域覆盖的钝化层与衬底基板之间增加增高层,从而减少或者消除了贴合区域覆盖的钝化层与非贴合区域覆盖的钝化层高度差异,使贴合区域覆盖的钝化层和非贴合区域覆盖的钝化层平坦化,从而改善了贴合区域覆盖的钝化层与非贴合区域覆盖的钝化层脱落问题,降低了接线不良现象的发生,提高了产品的可靠性。
附图说明
图1是现有技术中数据线贴合区域以及非贴合区域的结构示意图;
图2是图1中数据线贴合区域以及非贴合区域发生钝化层脱落现象后的结构示意图;
图3是图1在A-A方向的剖面示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的