[发明专利]一种表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法

权利要求书

1.一种表面增强拉曼光谱复合基底的制备方法，其特征在于，包括如下：

1）采用液面自组装的方法在硅片上制得单层排列的聚苯乙烯微球掩模板；

2）利用真空镀膜机，在聚苯乙烯微球掩模板上先蒸镀Cr纳米膜，再蒸镀 Ag纳米膜，然后置于氯仿中溶解去掉聚苯乙烯微球，洗涤；

3）采用化学气相沉积法在Cu箔上生长单层石墨烯，在所生长的石墨烯上涂聚甲基丙烯酸甲酯，并加热固化，然后用化学刻蚀的方法将Cu箔腐蚀去掉，洗涤；

4）将（3）制备的单层石墨烯转移至（2）制备的纳米阵列上，烘干，确保石墨烯与基底之间结合，放入丙酮溶液，将甲基丙烯酸甲酯溶解，并用氮气吹干，即得表面增强拉曼光谱复合基底。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于， 步骤（1）中，所制备的聚苯乙烯微球的直径为200~1000  nm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，在聚苯乙烯微球掩模板上先蒸镀10 nm Cr薄膜，再蒸镀50 nm Ag薄膜，Cr 薄膜和Ag薄膜的沉积速率是3 nm min^-1。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，聚苯乙烯微球掩模板镀Cr膜和Ag膜后，在氯仿中超声20秒钟，静置10分钟，去掉聚苯乙烯微球。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所用的Cu箔在化学气相沉积前，经过化学机械抛光处理。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，Cu箔上生长石墨烯并坚膜后，放到氯化铁溶液中，将Cu箔腐蚀掉。

7.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中， CVD方法生长石墨烯的温度为1020℃，在CH₄和H₂的混合气体气氛中生长，并且流量分别为35sccm和6sccm。

8.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，在石墨烯上涂聚甲基丙烯酸甲酯后，在120℃，保温30分钟，使聚甲基丙烯酸甲酯固化。

9.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤（4）中，将（3）制备的单层石墨烯转移至（2）制备的纳米阵列上，然后在50℃下保温30分钟，确保石墨烯与基底之间结合。