[发明专利]聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺无效

专利信息
申请号: 201310406937.4 申请日: 2013-09-10
公开(公告)号: CN104425704A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 龚伶 申请(专利权)人: 龚伶
主分类号: H01L41/45 分类号: H01L41/45
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 聚偏氟 乙烯 薄膜 极化 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及薄膜的制造技术领域,具体是聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺。

背景技术

PVDF(聚偏氟乙烯)是由偏氟乙烯单体均聚或共聚而成的含氟多功能材料,为线形结晶性聚合物,其结晶度一般在50~70%之间。由于氟碳链的结合能高,具有良好的耐热、耐腐蚀性能,适用的温度范围为-40~150℃,能耐氧化剂、酸、碱、盐类以及卤素、芳烃、脂肪族烃类及氯代溶剂的腐蚀和溶胀,具有优异的抗紫外线和耐老化性能,并具有非极性、抗污染等特点,特别是这种材料能溶于极性溶剂中配制成聚合物溶液。与目前常用的无机物压电材料相比(如石英、压电陶瓷类)相比,聚偏氟乙烯还有声阻抗小、频率响应宽、介电常数小、耐冲击性强、便于加工成任意形状等优点。

PVDF从溶液中或者熔融状态下结晶不具有压电、铁电、热释电等特性。极化是PVDF材料处理中的一个重要环节,主要目的是让铁电体中杂乱取向的分子偶极电矩沿着特定方向(极化电场方向)一致取向,改善和提高PVDF薄膜的压电性、铁电性与热释电特性。现今在聚偏氟乙烯薄膜的极化过程中,工艺复杂,费时费力,这增加了聚偏氟乙烯薄膜的制造成本。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种操作简便,省时省力,并能提高极化效率的聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺。

本发明的目的主要通过以下技术方案实现:

聚偏氟乙烯薄膜的极化工艺,包括以下步骤:

步骤一、在聚偏氟乙烯薄膜的一个面上蒸镀厚度为90~100nm的银作为金属电极;

步骤二、将镀有金属电极的聚偏氟乙烯薄膜置于加热器内,聚偏氟乙烯薄膜镀有金属电极的一面向下并接地,在聚偏氟乙烯薄膜上方设置网格电极,再在网格电极上方设置铜电极针,其中,铜电极针下端和网格电极均位于加热器内;

步骤三、将加热器内温度调至50~60℃,并向网格电极通5KV电压,向铜电极针通15KV电压,持续3~5min;

步骤四、停止加热和通电,并将极化后的聚偏氟乙烯薄膜取出放入干燥器内。本发明将制造得到的聚偏氟乙烯薄膜放入干燥器内,能减少空气离子引起的电荷衰减。本发明在铜电极针上加有高压,针端附近的空气将产生电晕电离,使铜电极针与网格电极之间的空气产生脉冲式局部击穿,载流子在电场作用下到达聚偏氟乙烯薄膜表面,依据铜电极针针尖电极的极性,或正或负的离子可以沉积于电介质表面,网格电极的作用使聚偏氟乙烯薄膜内捕获电荷均匀分布,同时能有效地控制聚偏氟乙烯薄膜的电荷密度。

进一步的,所述聚偏氟乙烯薄膜上银电极的厚度为95nm。

进一步的,所述网格电极与聚偏氟乙烯薄膜的间距为1.5cm,所述铜电极针与网格电极的间距为3.5cm。

为屏蔽外场干扰和操作安全起见,所述加热器和铜电极针均设于屏蔽金属丝罩内。

进一步的,所述加热器内温度为55℃,持续时间为4min。

与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明在高温强电场下,聚偏氟乙烯薄膜中偶极电荷沿电场方向取向,并在降温后保持取向而产生的极化,改善聚偏氟乙烯薄膜的压电、铁电性能 ,本发明整体工艺简单,便于实现,通过施加高压能使电荷快速移位,进而能提高极化效率,节省制造成本。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明,但本发明的实施方式不限于此。

实施例

聚合物PVDF薄膜中的电荷可以分为空间电荷和偶极电荷两类。空间电荷是被捕获在PVDF电介质表面(表面电荷)或体内(体电荷)的带电粒子,也称为捕获电荷。捕获电荷有三个来源:一是电荷从介质外经极化电场的作用,沉积到介质表面或注入到介质表层一定深度,被那里的陷阱所捕获;第二个来源是介质内部杂质离子在极化电场的作用下做宏观位移,移至异号电极近旁的介质层内,被那里的陷阱所捕获;第三,PVDF高聚物电介质,它们的内部结构是不均匀的,由结晶区和非结晶区交错在一起,结晶区通常是一些微小的晶粒,当电流通过介质时,在晶粒两个断面将积聚相反的电荷,积聚的电荷为界面上的陷阱所捕获,形成与取向极化类似的极化。

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