[发明专利]一种浪涌保护器

说明书

技术领域

本发明涉及一种浪涌保护器，属于半导体器件领域。

背景技术

RCD吸收电路由电阻Rs、电容Cs和二极管VDs构成，如图1所示，其主要作用是吸收开关管断开的瞬间产生的尖峰脉冲，避免对开关管造成击穿损坏。现有技术的RCD吸收电路主要存在如下缺陷：1、元器件数量多，2、占位面积大、功耗大，3、电容容量难确定，一般需根据经验计算。

有鉴于此，本发明人对此进行研究，专门针对RCD尖峰脉冲吸收电路开发出一种浪涌保护器，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的是提供一种适用于RCD尖峰脉冲吸收电路的浪涌保护器，具有元器件少、可靠性高、功耗低等特点。

为了实现上述目的，本发明的解决方案是：

一种浪涌保护器，包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的二极管芯片，上述上框架和下框架成对组合封装，一部分外露在塑封体外，形成引线端子，另一部分封装在塑封体内，用于焊接二极管芯片；所述二极管芯片包括一颗高压二极管芯片和一颗瞬态电压抑制二极管芯片，两颗芯片水平排列封装或叠加串联封装。

上述浪涌保护器包括2组上框架和下框架，形成4个引线端子，一组上框架和下框架之间焊接高压二极管芯片，另一组上框架和下框架之间焊接瞬态电压抑制二极管芯片，上述两颗芯片水平排列封装，互不相连。

上述浪涌保护器包括1组上框架和下框架，形成2个引线端子，上框架和下框架之间焊接叠加串联的高压二极管芯片和瞬态电压抑制二极管芯片。

上述浪涌保护器主要用于尖峰脉冲吸收电路，当开关管关断瞬间产生的尖峰脉冲与输入电压叠加后，高压二极管芯片正向导通，瞬态电压抑制二极管芯片被击穿，同时将尖峰脉冲箝位，从而保护开关管不被击穿损坏。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：（一）采用双芯片集成封装，使用器件数量少；（二）只需一个器件即可替代现有技术中的电阻、电容、二极管三个器件，占位面积小、可靠性高、功耗低；（三）抑制尖峰脉冲同时，具有箝位特性，吸收能量损耗小。

以下结合附图及具体实施例对本发明做进一步详细描述。

附图说明

图1为现有技术方案的RCD吸收电路图；

图2为实施例1浪涌保护器内部结构示意图； 

图3为图2的A-A向剖视图；

图4为实施例1的电路图；

图5为实施例2浪涌保护器内部结构示意图；

图6为图5的B-B向剖视图；

图7为实施2的应用电路图。

标号说明：

塑封体1；

引线端子21～24；

上框架31、33，下框架32、34；

高压二极管芯片41；瞬态电压抑制二极管芯片42。

具体实施方式

实施例1：

如图2-4所示，一种浪涌保护器，包括塑封体1、封装在塑封体1内的两组上框架31、33和下框架32、34，以及焊接在上框架31和下框架32上的高压二极管芯片41，焊接在上框架33和下框架34上的瞬态电压抑制二极管芯42，上述上框架31、33和下框架32、34成对组合封装，一部分外露在塑封体1外，形成引线端子21、22、23、24，另一部分封装在塑封体1内，用于焊接高压二极管芯片41和瞬态电压抑制二极管芯片42；所述二极管芯片41和42均处于同一水平面上，并排封装在塑封体1内，互不相连。

实施例2：

如图5-6所示，一种浪涌保护器，包括塑封体1、封装在塑封体1内的一组上框架31和下框架32，以及焊接在上框架31和下框架32上的高压二极管芯片41和瞬态电压抑制二极管芯42，上述上框架31和下框架32成对组合封装，一部分外露在塑封体1外，形成引线端子21和22，另一部分封装在塑封体1内，用于焊接叠加串联在一起的高压二极管芯片41和瞬态电压抑制二极管芯片42，塑封体1可以为片形、圆柱形或其他形状。

如图7所示，上述浪涌保护器主要用于尖峰脉冲吸收电路，当开关管关断瞬间产生的尖峰脉冲与输入电压叠加后，高压二极管芯片41正向导通，瞬态电压抑制二极管芯片42被击穿，同时将尖峰脉冲箝位，从而保护开关管不被击穿损坏。

上述实施例和图式并非限定本发明的产品形态和式样，任何所属技术领域的普通技术人员对其所做的适当变化或修饰，皆应视为不脱离本发明的专利范畴。