[发明专利]一种浪涌保护器有效
| 申请号： | 201310362794.1 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103427409A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 邓爱民;张文成;谢晓东 | 申请（专利权）人： | 绍兴旭昌科技企业有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H01L25/07;H01L23/31 |
| 代理公司： | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人： | 蒋卫东 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 浪涌保护器 | ||
【权利要求书】：
1.一种浪涌保护器，其特征在于：包括塑封体、上框架、下框架，以及焊接在上框架和下框架上的二极管芯片，上述上框架和下框架成对组合封装，一部分外露在塑封体外，形成引线端子，另一部分封装在塑封体内，用于焊接二极管芯片；所述二极管芯片包括一颗高压二极管芯片和一颗瞬态电压抑制二极管芯片，两颗芯片水平排列封装或叠加串联封装。
2.如权利要求1所述的一种浪涌保护器，其特征在于：上述浪涌保护器包括2组上框架和下框架，形成4个引线端子，一组上框架和下框架之间焊接高压二极管芯片，另一组上框架和下框架之间焊接瞬态电压抑制二极管芯片，上述两颗芯片水平排列封装，互不相连。
3.如权利要求1所述的一种浪涌保护器，其特征在于：上述浪涌保护器包括1组上框架和下框架，形成2个引线端子，上框架和下框架之间焊接叠加串联的高压二极管芯片和瞬态电压抑制二极管芯片。
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