[发明专利]具有维持加热器的双单侧溅射腔

说明书

技术领域

本文中描述的实施例涉及磁盘处理系统的领域，并具体涉及磁盘处理系统、加热器腔、和具有维持加热器的双单侧溅射腔。

背景技术

为了实现硬盘驱动器介质的面密度增加，EMAR能量辅助磁记录（EAMR）是在当前的垂直磁记录（PMR）介质之后正在开发的下一代介质。在EAMR中，局部地加热记录介质，从而降低在写操作期间的磁材料的矫顽磁性。然后迅速冷却局部区域，从而保留写信息。这允许使用具有高矫顽磁性磁材料的磁写头。局部区域的加热可以通过例如热或热源实现，例如激光器。

为了生成良好质量的EMAR介质，需要高温处理。在传统的EMAR和PMR处理中，介质是单独加热的和溅射在不同的腔。更具体地，在介质磁盘进入不同的溅射腔之前在第一腔将介质磁盘加热到某温度，从而利用所需膜沉积。然而，在离开加热器腔之后磁盘开始冷却，和当膜沉积在溅射腔时继续冷却。

在制造磁记录次的过程中使用不同的处理系统。一个处理系统是Anelva磁盘溅射系统。Anelva溅射系统是双侧处理系统，其中在每个腔中同时处理磁盘的两侧。图1是传统的双侧磁盘处理系统110的横截面顶视图，其中装载在载体内的两个磁盘101传输到加热器腔110，利用在磁盘101的相对侧上的加热器112和114加热磁盘101的两侧。磁盘301随后传输到双面溅射沉积腔120，利用在磁盘101的相对侧上的溅射组件122和124将溅射材料沉积在磁盘101的两侧上。

如图2中所示，磁盘101的温度在加热器腔110中上升（一部分由于在每个侧面上的第一加热元件，另一部分由于在每个侧面上的第二加热元件），然后磁盘一离开加热器腔110就开始冷却。尽管在溅射期间溅射腔120提供加热，但是磁盘的温度在沉积处理期间继续下降。温度下降可以导致消极地影响介质性能的不同溅射膜特性。

发明内容

附图说明

本发明仅通过实例而非限制示出，在附图中：

图1是传统的磁盘溅射系统的截面顶视图。

图2是在利用图1的传统磁盘处理系统处理期间的磁盘温度的曲线图。

图3是根据本发明的一个实施例的具有两个单侧沉积腔的磁盘处理系统的横截面顶视图，其中每个腔具有维持加热器。

图4是根据一个实施例的单侧沉积腔的截面顶视图。

图5是根据另一个实施例的单侧沉积腔的截面顶视图。

图6是根据一个实施例的单侧沉积腔的截面侧视图。

图7是磁盘温度与维持加热器电功率的曲线图。

图8是处理磁盘的方法的流程图。

具体实施方式

在本文中参考附图描述方法的实施例。然而，在没有一个或多个具体细节的情况下或结合其他已知的方法、材料、和装置实践特定的实施例。在下面的描述中，阐述用于提供透彻理解的许多具体细节，例如具体材料、尺寸、和处理参数等。在其他情况中，为了避免不必要地模糊要求的主题，未详细描述众所周知的制造过程和设备。本说明书的“一个实施例”是指结合实施例描述的特定特征、结构、材料、或特性包括在本发明的至少一个实施例中。因此，在本说明书中的不同地方的术语“在一个实施例中”不一定指相同的实施例。而且，在一个或多个实施例中特定的特征、结构、材料、或特性可以通过任何合适的方式组合起来。

描述具有加热器腔和双单侧溅射腔的磁盘处理系统的实施例，其中每个单侧溅射腔具有维持加热器。在一个实施例中，磁盘处理系统包括三个腔。第一腔包括布置在腔的相对侧的两个加热器，用于将磁盘加热到某温度。第二腔包括与加热器相对的溅射组件。溅射组件将膜沉积在磁盘的一侧上，而加热器维持磁盘的温度。第三腔还包括与加热器相对的溅射组件，但是倒置，因此喷射组件将膜沉积在磁盘的另一面，而加热器维持磁盘的温度。

在每个溅射腔中的加热器维持在磁盘传输至腔和溅射处理期间的磁盘温度。这样，加热器可以称为维持加热器。相比之下，在第一腔内的加热器用于在磁盘传输至溅射腔之前使磁盘到达或接近（高于或低于）溅射操作所需的温度，这样，该加热器可以称为“预加热器”，因为加热器在所需温度执行溅射的腔中执行加热之前加热磁盘。维持在传输和溅射膜用作EAMR介质的记录层期间的近似恒定温度可以有助于生成高质量的EAMR沉积膜，因而，提高在可以实现的其他记录性能改进之间的超过1db的膜的信噪比（SNR）。

在一个实施例中，护罩固定在护罩托架上和安装在溅射腔内的加热元件前面。该护罩可以防止溅射材料的膜沉积在加热元件上。此外，护罩还可以提供均匀的热给磁盘，因为为了保持高温度和高加热速率磁盘是隔热的。