[发明专利]具有维持加热器的双单侧溅射腔

权利要求书

1.一种磁盘处理系统，所述系统包含：

第一腔，其包含布置在所述第一腔内的相对侧的第一加热器和第二加热器；

耦合第一腔的第二腔，所述第二腔包含：

固定在所述第二腔的第一侧内的用于溅射磁盘的第一侧的第一溅射组件；和

固定在所述第一侧相对的第二腔的第二侧内的第三加热器；耦合所述第二腔的第三腔，所述第三腔包含：

固定在所述第三腔的第一侧内的第四加热器，所述第三腔的第一侧和所述第二腔的第一侧是相同的；和

固定在所述第一侧相对的所述第三腔的第二侧内的第二溅射组件。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述第二腔和第三腔包含：

所述腔内的各个加热器的加热元件；和

布置在所述加热元件和所述腔内的各个溅射组件之间的护罩。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述护罩是由包含石墨的材料构造。

4.根据权利要求2所述的系统，其中所述护罩可移除地耦合护罩托架。

5.根据权利要求2所述的系统，其中所述护罩具有的第一表面积大于构造为利用载体布置在所述护罩和所述溅射组件之间的磁盘的第二表面积。

6.根据权利要求2所述的系统，其中所述护罩具有的直径在磁盘的外直径的80%到120%的范围内。

7.根据权利要求2所述的系统，其中所述护罩托架构造为固定护罩距离加热元件一距离，其中所述距离是在1mm到12mm的范围内。

8.根据权利要求2所述的系统，其中当利用载体定位在所述腔中时，所述护罩托架构造为固定护罩距离所述磁盘一距离，其中所述距离是在1.5mm到10mm的范围内。

9.根据权利要求2所述的系统，其中所述护罩具有的厚度在0.5mm到3.5mm的范围内。

10.根据权利要求3所述的系统，其中所述加热元件包含石墨。

11.一种磁盘处理方法，所述方法包含：

将第一腔中的磁盘加热到第一温度，所述第一腔包含布置在所述第一腔内的相对侧上的第一加热器和第二加热器；

将所述磁盘从第一腔传输到第二腔；

加热所述第二腔中的磁盘，同时只将第一材料溅射到所述磁盘的第一侧，其中所述磁盘在传输到所述第二腔和在所述第二腔中溅射的传输和溅射期间维持在所述第一温度的+/-5%内；

将所述磁盘从所述第二腔传输到第三腔；

加热所述第三腔中的磁盘，同时只将第二材料溅射到与所述第一侧相对的所述磁盘的第二侧，其中所述磁盘在传输到所述第三腔和在所述第三腔中溅射期间维持在所述第一温度的+/-5%内。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一温度高于500摄氏度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一材料和第二材料包含FePt。

14.根据权利要求11所述的方法，其中加热包含利用布置在所述磁盘的第一侧相对的第二侧中的加热器。

15.根据权利要求14所述的方法，其中加热进一步包含为加热器提供在0.1kw到12kw范围的功率。

16.根据权利要求14所述的方法，其中加热器包含加热元件，以及其中所述方法进一步包含防止溅射所述加热元件。

17.根据权利要求16所述的方法，其中利用可移除地耦合护罩托架的护罩执行防护，以及其中所述护罩托架构造为固定护罩距离所述磁盘1.5mm到10mm范围内的距离。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述护罩具有的直径在所述磁盘的外直径的80%到120%的范围内。