[发明专利]水热法合成异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列

权利要求书

1.水热法合成异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列，先将钛源水解在浓盐酸中制成TiO₂前驱液，加入导电玻璃基片后经水热反应得到TiO₂纳米线阵列基片，再将所制得的基片先后置于醋酸铜乙醇溶液、醋酸铜水溶液中，最后高温煅烧制得异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列，其特征在于，反应步骤如下：

（1）将钛源溶解在浓盐酸中搅拌得到透明的TiO₂前驱液，所述钛源与浓盐酸的体积比为0.03~1.4:60；

（2）将TiO₂前驱液移至反应釜中，加入清洗干净的导电玻璃FTO基片，于120~180℃反应4~24 h，自然冷却至室温，将制得的TiO₂纳米线阵列基片分别用去离子水、无水乙醇清洗；

（3）将清洗后的TiO₂纳米线阵列基片置于醋酸铜乙醇溶液中，100~130℃反应20~30 h，然后将基片分别用去离子水、无水乙醇清洗，所述醋酸铜乙醇溶液的浓度为0.01~0.05mol/L；

（4）将步骤（3）制得的基片置于醋酸铜水溶液，70~85℃反应4~10 h，产物分别用去离子水、无水乙醇清洗，所述醋酸铜水溶液的浓度为0.05mol/L；

（5）将步骤（4）制得的基片高温煅烧1~3 h，得到褐色的异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列。

2.根据权利要求1所述的水热法合成异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列，其特征在于，步骤（1）中所述的钛源为钛酸正丁酯、钛酸异丙酯或四氯化钛中任一种。

3.根据权利要求1所述的水热法合成异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列，其特征在于，步骤（1）中所述浓盐酸浓度为6M。

4.根据权利要求1所述的水热法合成异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列，其特征在于，步骤（5）中所述的高温为350~500℃。

5.根据前述任一权利要求所述方法合成的异质结构氧化铜复合二氧化钛纳米线阵列。