[发明专利]移位寄存器单元及其驱动方法、移位寄存器与显示装置有效
申请号: | 201310347123.8 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN103474038B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 谭文;祁小敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/3225;G11C19/28 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;安利霞 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 单元 及其 驱动 方法 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器单元,包括第一电容、上拉模块、预充电模块和下拉模块,所述第一电容的第一端与所述上拉模块连接于上拉节点,其特征在于,还包括:
关断模块,与所述上拉节点连接,并与处于预充电模块和下拉模块之间的第一节点连接,用于在上拉阶段断开所述上拉节点与所述预充电模块和下拉模块的电连接。
2.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述关断模块包括:
第一薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的源极与所述第一节点连接,第一薄膜晶体管的栅极与第二时钟信号输入端连接,第一薄膜晶体管的漏极与所述上拉节点连接;
关断控制单元,用于在上拉阶段,通过控制所述第一薄膜晶体管的源极电压使得所述第一薄膜晶体管处于完全截止状态,以断开所述上拉节点与所述预充电模块和下拉模块的电连接。
3.如权利要求2所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述关断控制单元包括:
反馈电容,所述反馈电容的第一端与所述第一薄膜晶体管的源极连接,反馈电容的第二端,与所述上拉模块和所述下拉模块连接。
4.如权利要求2所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述关断控制单元还包括:
第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管的源极与所述上拉模块和所述下拉模块连接,第二薄膜晶体管的栅极与第一时钟信号输入端连接,第二薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的源极连接。
5.如权利要求2所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述关断控制单元还包括:
第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管的源极与所述上拉模块和所述下拉模块连接,第二薄膜晶体管的栅极与第二薄膜晶体管的源极连接,第二薄膜晶体管的漏极与所述第一薄膜晶体管的源极连接。
6.如权利要求1所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述关断模块包括:
第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第三薄膜晶体管;
第一薄膜晶体管的源极与第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的漏极连接,第一薄膜晶体管的栅极与第二时钟信号输入端连接,第一薄膜晶体管的漏极与所述上拉节点连接;
第二薄膜晶体管的源极与所述上拉模块和所述下拉模块连接,第二薄膜晶体管的栅极与第一时钟信号输入端连接;
第三薄膜晶体管的源极与所述第一节点连接,第三薄膜晶体管的栅极与所述第二时钟信号输入端连接。
7.如权利要求1至6任一项所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述上拉模块包括:
第四薄膜晶体管,第四薄膜晶体管的源极与第一时钟信号输入端连接,第四薄膜晶体管的栅极与所述上拉节点连接,第四薄膜晶体管的漏极与第一电容的第二端、下拉模块以及信号输出端连接。
8.如权利要求1至6任一项所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述上拉模块包括:
第四薄膜晶体管和第五薄膜晶体管;
第四薄膜晶体管的源极和第五薄膜晶体管的源极与第一时钟信号输入端连接;
第四薄膜晶体管的栅极和第五薄膜晶体管的栅极与所述上拉节点连接;
第四薄膜晶体管的漏极,与栅极信号输出端、第一电容的第二端以及下拉模块连接;
第五薄膜晶体管的漏极,与关断模块、下拉模块以及起始信号输出端连接。
9.如权利要求1至6任一项所述的移位寄存器单元,其特征在于,所述预充电模块包括:
第六薄膜晶体管;
第六薄膜晶体管的源极和栅极与起始信号输入端连接,第六薄膜晶体管的漏极与所述关断模块、下拉模块连接。
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