[发明专利]一种包括形成薄膜电容器的方法

说明书

本申请是分案申请，其母案申请的发明名称是：“用于薄膜电容器制作的溶胶-凝胶及掩模图案化，由此制作的薄膜电容器，以及含有薄膜电容器的系统”；其母案申请的申请日是2007年3月31日；其母案申请的优先权日是2006年3月31日；其母案申请的国际申请号是：PCT/US2007/007710。 

相关申请 

本专利申请要求2006年3月31日提交的美国申请No.11/396386的优先权权益，将该美国申请通过引用结合于此。 

技术领域

公开的实施例涉及平行极板电容器组件。 

背景技术

处理器管芯通常需要电容式电源来响应运行时产生的瞬时负载。提供电容器来响应管芯的瞬时负载要求。薄膜电容器(TFC)通常是在两个电极之间设置的电介质，而且通过激光钻孔(drilling)来制作。激光钻孔成本高且耗时，而且使TFC的结构承受较大的不均匀热瞬变。高介电常数(高k)薄膜电容器(TFC)必须在烧结之后经过激光钻孔或者化学蚀刻以提供电接触。这些工艺会影响已烧结的高k电介质的化学性质。激光钻孔会产生不均匀的激光热区，或者蚀刻化学会改变蚀刻边缘处及其附近的高k电介质。 

在穿过已烧结的薄膜电容器(TFC)介电层以形成接触通道的传统 激光钻孔加工过程中，激光束的极大的热瞬变在激光钻孔的切割边缘产生热变区。激光钻孔边缘由于激光钻孔工艺的原因会承受极大的热瞬变，但是与切割边缘相反，已烧结的TFC电介质会在烧结工艺中保持不变。传统的激光钻孔工艺可能会造成激光钻孔边缘与远离激光钻孔边缘的区域相比，发生物理上的或化学上的变化。例如，激光钻孔边缘与远离激光钻孔边缘的区域相比会脆化。因此，激光钻孔边缘的热变形态会呈现出在烧结电介质中引起的脆化迹象。脆化可以通过物理探测或其他技术来确定。激光钻孔边缘还可能由于极大热瞬变导致材料损失或者变化，从而改变了化学质量。因此，激光钻孔边缘的热变形态可能会呈现出在已烧结的电介质中化学损耗迹象。改变的化学质量可以通过诸如扫描电子显微镜方法(SEM)或者离子耦合等离子体(ICP)分析之类的显微技术来确定。而且，由于激光钻孔工艺的极大热瞬变，激光钻孔边缘与远离区域相比，甚至会把挥发的杂散材料引入到TFC电介质的基体中。因此，激光钻孔边缘的热变形态会呈现出在已烧结的电介质中的化学添加迹象。改变的化学质量可以由诸如SEM或ICP分析之类的显微技术来确定。 

附图说明

为了理解获得实施例的方法，下面参照附图对上面简要说明的各种实施例作更具体的说明。要理解，这些图仅描绘了典型的实施例，不一定按比例绘制，因此不能认为是对发明范围的限定，下面将通过使用附图以附加特征和细节来描述和说明一些实施例，其中： 

图1A是根据实施例的薄膜电容器组件在处理过程中的横截面正视图； 

图1B是根据实施例的图1A中描绘的薄膜电容器组件在处理过程中的横截面正视图； 

图1C是根据实施例的图1B中描绘的薄膜电容器组件在处理过程中的横截面正视图； 

图1D是根据实施例的图1C中描绘的薄膜电容器组件在处理过程中的横截面正视图； 

图2是根据实施例处理后的薄膜电容器组件的断面俯视图； 

图3是包括根据实施例形成的薄膜电容器组件的封装的横截面正视图； 

图4是根据各种实施例的工艺流程图； 

图5是描绘根据实施例的计算系统的剖开透视图；以及 

图6是根据实施例的电子系统的示意图。 

具体实施方式

以下描述包含了诸如上面、下面、第一、第二等的术语，这些术语只是为了描述而被使用，不能被视为限定。这里描述的装置或者物品的实施例可以多个位置和方位被制造、使用或者载运。术语“管芯”和“芯片”一般指的是作为通过各种工艺操作转变成想要的集成电路器件的基础工件的物理对象。管芯通常是从晶圆上单个地分离而来，晶圆可由半导体材料、非半导体材料或者半导体与非半导体材料的组合制成。基板一般是指作为管芯的安装衬底的填充有树脂的玻璃纤维结构。 

下面参照附图，图中同样的结构配有同样的参考标记。为了最清楚地展示结构和工艺的实施例，这里包含的图是实施例的图示。因此，制作的结构虽然仍包含实施例的基本结构，但是其例如在显微照片中的实际外观可能看起来不同。此外，这些图仅示出了对理解实施例有必要的结构，为了保证图的清晰性，本领域都知道的其他结构没有包含在图中。