[发明专利]包括可变电阻存储器的存储装置及其操作方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

非易失性存储器装置，包括可变电阻存储器；

控制器，被构造为控制非易失性存储器装置，

其中，在启动操作，控制器将启动信息存储在非易失性存储器装置的可变电阻存储器中，

其中，在重新启动操作，控制器基于与启动操作相关联的启动设置条件和与重新启动操作相关联的重新启动条件之间的比较结果，使用存储在可变电阻存储器中的启动信息选择性地执行热启动操作。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器包括：

条件感测单元，被构造为感测与启动操作相关联的启动设置条件，并感测与重新启动操作相关联的重新启动条件。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，控制器还包括：

决定单元，被构造为将启动设置条件与重新启动条件进行比较，并根据比较结果确定是否执行热启动操作。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，当启动设置条件与重新启动条件之差包含在预定误差范围内时，决定单元使用存储在可变电阻存储器中的启动信息控制非易失性存储器装置执行热启动操作。

5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，决定单元在启动设置条件与重新启动条件之差不包含在预定误差范围内时更新启动信息，并控制非易失性存储器装置使得可变电阻存储器的启动信息被更新的启动信息覆写。

6.根据权利要求4所述的存储装置，其中，启动设置条件在启动操作时被存储在可变电阻存储器中，

其中，在重新启动操作，当启动设置条件和重新启动条件之差不在预定误差范围内时，决定单元控制非易失性存储器装置，使得存储在可变电阻存储器中的启动设置条件被重新启动条件覆写。

7.根据权利要求2所述的存储装置，其中，条件感测单元包括：

温度传感器，感测启动操作和重新启动操作时的与温度相关联的信息；

计时器，检测启动操作和重新启动操作时的与时间相关联的信息；

电压传感器，感测启动操作和重新启动操作时的与电压相关联的信息。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，非易失性存储器装置还包括：模式寄存器设置器，用于存储模式寄存器设置MRS信息，

其中，在启动操作，控制器在启动信息被设置时将MRS信息存储在模式寄存器设置器和可变电阻存储器中。

9.根据权利要求8所述的存储装置，其中，非易失性存储器装置还包括：逻辑控制器，用于控制模式寄存器设置器和可变电阻存储器，

其中，逻辑控制器在热启动操作被执行时将存储在可变电阻存储器中的MRS信息传送至模式寄存器设置器。

10.根据权利要求1所述的存储装置，其中，非易失性存储器装置还包括：

延迟锁定环路DLL电路，被构造为在启动操作执行DLL锁定操作；

逻辑控制器，被构造为控制可变电阻存储器和DLL电路，

其中，在DLL锁定操作完成之后，逻辑控制器将与DLL锁定结果相关联的信息存储在可变电阻存储器中。

11.根据权利要求10所述的存储装置，其中，当热启动操作被执行时，逻辑控制器将存储在可变电阻存储器中的与DLL锁定结果相关联的信息传送至DLL电路。

12.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器包括：

命令/地址C/A训练测试逻辑控制器，被构造为在启动操作执行C/A训练操作；

寄存器，被构造为在C/A训练操作完成之后存储C/A训练结果。

13.根据权利要求12所述的存储装置，其中，控制器将C/A训练结果存储在可变电阻存储器中。

14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，当热启动操作被执行时，控制器将存储在可变电阻存储器中的C/A训练结果传送至寄存器。

15.根据权利要求1所述的存储装置，其中，控制器包括：

输入/输出数据DQ校准测试逻辑控制器，被构造为在启动操作执行DQ校准操作；

寄存器，被构造为在DQ校准操作完成之后存储DQ校准结果。

16.根据权利要求15所述的存储装置，其中，控制器将DQ校准结果存储在可变电阻存储器中。