[发明专利]背照式CMOS影像传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201310277429.0 | 申请日： | 2013-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103337508A | 公开（公告）日： | 2013-10-02 |
| 发明（设计）人： | 费孝爱;邢家明 | 申请（专利权）人： | 豪威科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背照式 cmos 影像 传感器 及其 制造 方法 | ||
1.一种背照式CMOS影像传感器，其特征在于，包括：晶圆；形成于所述晶圆中的多个光电二极管；形成于所述晶圆中、并将相邻两个光电二极管予以隔离的隔离结构，所述隔离结构的材料为高K介质。
2.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述隔离结构的材料为HfO2、Ta2O5、ZrO2或者Al2O3。
3.如权利要求1所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，所述隔离结构贯穿所述晶圆。
4.如权利要求1～3中任一项所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，还包括形成于所述晶圆背面的高K介质层。
5.如权利要求4所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，还包括形成于所述高K介质层表面的滤光片及形成于所述滤光片表面的微透镜。
6.如权利要求4所述的背照式CMOS影像传感器，其特征在于，还包括形成于所述晶圆正面的金属互连层。
7.一种背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，包括：
提供晶圆，所述晶圆中形成有多个光电二极管；
刻蚀所述晶圆，在每相邻两个光电二极管之间形成沟槽；
利用高K介质填充所述沟槽，形成隔离结构。
8.如权利要求7所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为HfO2、Ta2O5、ZrO2或者Al2O3。
9.如权利要求7所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，所述沟槽贯穿所述晶圆。
10.如权利要求7～9中任一项所述的背照式CMOS影像传感器的制造方法，其特征在于，利用高K介质填充所述沟槽的同时，在所述晶圆的背面形成高K介质层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
