[发明专利]覆盖有荧光体层的LED、其制造方法以及LED 装置

说明书

技术领域

本发明涉及覆盖有荧光体层的LED、该覆盖有荧光体层的LED的制造方法以及LED装置，详细而言，本发明涉及覆盖有荧光体层的LED的制造方法、通过该覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得的覆盖有荧光体层的LED以及具有该覆盖有荧光体层的LED的LED装置。

背景技术

以往，公知发光二极管装置（以下，简称为LED装置。）是通过以下方法制造的：首先，在基板上安装多个发光二极管元件（以下，简称为LED。），接着，以覆盖多个LED的方式设置荧光体层，之后，单片化为各LED。

然而，由于在多个LED之间产生发光波长、发光效率的偏差，因此，在安装有上述LED的LED装置中，存在在多个LED之间产生发光的偏差的不良情况。

为了消除该不良情况，例如研究了以下方法：利用荧光体层覆盖多个LED来制作覆盖有荧光体层的LED，之后，根据发光波长、发光效率来筛选覆盖有荧光体层的LED，然后将筛选出的覆盖有荧光体层的LED安装在基板上。

例如，提出有一种通过下述方法而获得的覆盖有荧光体层的LED（芯片零件）（例如，参照日本特开2001－308116号公报。）。

即，首先，在石英基板之上粘贴粘合力会因照射紫外线而降低的粘合片，之后，在粘合片之上粘贴芯片（LED）。然后，自芯片之上涂敷树脂，在粘合片之上制作由被树脂覆盖的芯片构成的疑似晶圆。之后，自石英基板的背面侧（下侧）照射紫外线以减弱粘合片的粘合力，将疑似晶圆自石英基板和粘合片剥离。之后，以芯片为单位对剥离下来的疑似晶圆进行切割而使其单片化。

但是，在日本特开2001－308116号公报所记载的方法中，由于自背面侧照射的紫外线在透过石英基板之后达到粘合片，因此，作为基板，需要选择石英基板等紫外线可透过的基板材料。因此，基板材料的选择受到制限。

另外，在日本特开2001－308116号公报所记载的方法中，在要切割疑似晶圆时，已经将疑似晶圆自石英基板和粘合片剥离，也就是说疑似晶圆没有由石英基板支承，因此，不能够以优异的精度切割疑似晶圆，其结果，存在所获得的芯片零件的尺寸稳定性较低这样的不良情况。

发明内容

本发明的目的在于提供不仅能够使用活性能量线透过性的支承板、还能够使用活性能量线阻隔性的支承板、而且能够简便且以优异的尺寸稳定性获得覆盖有荧光体层的LED的覆盖有荧光体层的LED的制造方法、通过该覆盖有荧光体层的LED的制造方法而获得的覆盖有荧光体层的LED以及具有该覆盖有荧光体层的LED的LED装置。

本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法的特征在于，该覆盖有荧光体层的LED的制造方法包括以下工序：准备工序，在该准备工序中，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在上述支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层；LED粘合工序，在该LED粘合工序中，借助上述粘合层将LED粘合于上述支承板；覆盖工序，在该覆盖工序中，将荧光体层配置在上述支承板的上述厚度方向上的一个表面上，利用上述荧光体层来覆盖上述LED；切割工序，在上述覆盖工序后的该切割工序中，通过与上述LED相对应地切割上述荧光体层，从而获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括上述LED和用于覆盖上述LED的上述荧光体层；以及LED剥离工序，在上述切割工序之后的该LED剥离工序中，从至少上述厚度方向上的一侧向上述粘合层照射活性能量线，并将上述覆盖有荧光体层的LED自上述粘合层剥离。

另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选上述荧光体层由荧光体片形成。

另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选在上述覆盖工序中，利用B阶段的上述荧光体片来覆盖上述LED，之后，使上述荧光体片固化而达到C阶段。

另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选上述荧光体层包括：覆盖部，其用于覆盖上述LED；以及反射部，其含有光反射成分且以包围上述覆盖部的方式形成。

另外，在本发明的覆盖有荧光体层的LED的制造方法中，优选在上述准备工序中，以预先设置基准标记的方式准备上述支承片，该基准标记在上述切割工序中作为切割基准。