[发明专利]电子元件组合及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电子元件组合及其制造方法。

背景技术

3C产品追求超薄的趋势下，电子元件之间的结合方式由传统的焊接、铆合等方式演进到胶合的方式，但由于全面胶合的方式结合，会在电子元件之间形成绝缘层，阻绝原本的电导通形态，造成电磁干扰与电磁耐受性降低。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种可以降低电磁干扰并提高电磁耐受性的电子元件组合。

一种电子元件组合，包括一第一元件以及一第二元件，第二元件的上表面开设凹槽，该凹槽内涂布粘着剂以将第一元件接合于第二元件的上表面，第一元件与第二元件之间未经粘着剂胶合的区域直接接触。

一种电子元件组合的制造方法，包括以下步骤：

提供一第一元件及一第二元件；

在第二元件上表面开设凹槽；

将粘着剂涂布于该凹槽内；

将第一元件接合于第二元件的上表面，粘着剂将第一元件粘接于第二元件。

相较现有技术，该第一元件可与第二元件牢固接合，该电子元件组合厚度超薄且其金属接触面具有导电性能，可抗电磁干扰并提高其电磁耐受性。

附图说明

下面参照附图结合具体实施方式对本发明作进一步的描述。

图1为本发明电子元件组合的较佳实施方式的立体分解图。

图2为本发明电子元件组合的第二元件的立体图，其中该第二元件的凹槽内涂布纳米粘着剂。

图3为图1的组装图。

图4为图3沿Ⅳ－Ⅳ线的剖视图。

主要元件符号说明

第一元件10第二元件20凹槽22长槽220溢胶槽222纳米粘着剂30

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

本发明提供一种电子元件组合的制造方法，包括以下步骤：

提供一第一元件10及一第二元件20（如图1所示），第一元件10及第二元件20为金属薄片；

运用化学能或热能于第二元件20的上表面加工产生若干个深度为200μm的凹槽22，每一凹槽22包括一长槽220及开设于该长槽220两侧并与长槽220贯通的溢胶槽222（参见图1）；

将纳米粘着剂30均匀涂布于该凹槽22的长槽220内（参见图2）；

请参阅图3及图4，使用外力将第一元件10接合于第二元件20上表面，纳米粘着剂30在第一元件10的挤压下散布于长槽220及溢胶槽222以将第一元件10粘接于第二元件20。

本发明电子元件组合的第一元件10及第二元件20通过纳米粘着剂30紧密结合，厚度（仅为第一组件10及第二组件20之厚度之和）超薄，其第一组件10与第二组件20未经黏着剂30黏接的区域直接接触，具有导电效应，可降低电磁干扰并提高其电磁耐受性。

本发明电子组件组合可制造电子产品的壳体（如手机的后盖），电子产品不仅超薄，且可降低电磁干扰并提高电磁耐受性。