[发明专利]多晶硅薄膜层淀积方法有效
| 申请号： | 201310202352.0 | 申请日： | 2013-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN103320855A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 许忠义 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/14 | 分类号： | C30B28/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 层淀积 方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，包括：
提供基底，同一所述基底表面形成有不同材料层，各材料层位于不同区域，或者，至少两个所述基底表面形成有不同的材料层；
将所述基底放入反应腔；
往所述反应腔内通入预淀积气体，进行预淀积，在所述基底上形成第一多晶硅薄膜层；其中所述预淀积气体包括稀释气体和含硅气体，所述含硅气体的体积比为1%-50%，所述预淀积气体的流速为100-1000sccm；
往所述反应腔内通入主淀积气体，进行主淀积，在所述第一多晶硅薄膜层上形成第二多晶硅薄膜层，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。
2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述预淀积气体中含硅气体的体积比为20%-30%，所述预淀积气体的流速为300-500sccm。
3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，进行预淀积时，所述反应腔内的温度大于570℃，压强大于0.3Torr。
4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述含硅气体为SiH4或正硅酸乙酯。
5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述稀释气体为N2、Ar、He中的一种或几种。
6.如权利要求1-5任一所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述预淀积的反应时间为0.1-10.0min。
7.如权利要求6所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述预淀积的反应时间为1.0min。
8.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述主淀积气体为含硅气体或包括含硅气体与稀释气体。
9.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，主淀积气体的流速为100-1000sccm。
10.如权利要求3所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，进行主淀积时，所述反应腔内的温度大于570℃，压强大于0.3Torr。
11.如权利要求10所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，进行主淀积时，所述反应腔内的温度和压强等于进行预淀积时反应腔内的温度和压强。
12.如权利要求1所述的多晶硅薄膜层淀积方法，其特征在于，所述材料层的材料为氧化硅、氮化硅或多晶硅。
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