[发明专利]晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法有效
申请号: | 201310183779.0 | 申请日: | 2013-05-17 |
公开(公告)号: | CN103413857A | 公开(公告)日: | 2013-11-27 |
发明(设计)人: | R·弗里德里希;沃尔夫冈法赫纳;S·斯克韦尔特海姆;周浪;黄海宾;向昱任 | 申请(专利权)人: | 南昌大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶硅异质结 太阳电池 电极 电池 片串接 同步 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法。
背景技术
太阳能电池发电是目前最有前景的可再生能源利用方式之一。其中晶体硅太阳电池由于其资源丰富,工艺成熟度高等优点占据市场的主导地位。在目前正在发展的各类新型高效晶体硅太阳电池中,晶体硅异质结太阳电池以其高转换效率、适宜大规模量产等优点受到业界的广泛关注。
晶体硅异质结太阳电池是一类基于非晶硅或微晶硅发射极的太阳电池,它们不能耐受300℃以上的温度,需采用低温银浆丝网印刷并在低于300℃的温度下烧结制备前电极栅线。到目前为止,各种晶体硅太阳电池前表面电极栅线制作和电池间的连接均为两个单独的工艺步骤。这使得太阳能电池生产工艺复杂,进而影响了生产效率,提高了生产的成本。
发明内容
本发明的目的在于提供了一种晶硅异质结太阳电池的前电极及电池片串接同步制作方法,它具有简化生产工艺流程和提高生产效率的优点。
本发明是这样来实现的,使用低温银浆实现前表面电极烧结,并同步实现电池片间串接的烧结;首先,太阳电池背表面的导电金属层采用前述的低温银浆烧结制备,覆盖整个表面,该步骤是标准的工艺。样品架有两类限位槽,为限位槽Ⅰ和限位槽Ⅱ,其中限位槽Ⅰ尺寸与太阳电池及其背表面金属板相匹配,限位槽Ⅱ的宽度与金属汇流条匹配;背表面金属板及其金属汇流条分别安放在限位槽Ⅰ和限位槽Ⅱ上,金属汇流条与太阳电池片接触的位置在放入限位槽上之前,用锡或低温银浆进行覆盖;
然后,太阳电池片使用真空吸盘进行翻转,并被再次放入限位槽。背表面与金属板接触,前表面朝上。使用低温银浆印刷主栅线和栅线,金属汇流条掰起朝上,与其连接的电池放在右边。然后将金属汇流条压在右边太阳电池的主栅线上。最右边太阳电池的背接触连接的金属汇流条作为接外电路引线使用。最左边的太阳电池在其主栅线上连接金属带作为另一个与外电路相接的接触引线用。这一系列的结构可一步烧结完成。烧结低温银浆和粘结电池的钎料烧结所需温度中的较高者决定了烧结温度。
本发明的技术效果是:本发明采用设计的新型太阳电池片架结构,采用低温浆料作为晶硅异质结太阳电池导电栅线,使得太阳电池电池前表面金属电极制作与采用导电汇流条进行电池片串接的多步烧结工艺简化为一步同时完成,显著缩短了生产时间,提高了生产效率。
附图说明
图1为本发明的样品架结构俯视图。
图2为本发明的样品架结构仰视图。
图3为本发明印刷主栅线和栅线时的结构示意图。
图4为本发明在金属汇流条掰起时的结构示意图。
图5为本发明金属汇流条搭接两太阳电池时的结构示意图。
在图中,1、太阳电池 2、主栅线 3、栅线 4、限位槽Ⅰ 5、限位槽Ⅱ 6、背表面金属板 7、金属汇流条。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明做详细阐述;
以N型Cz单晶硅制备的晶硅异质结太阳电池为例:
首先,太阳电池背表面的导电金属层采用前述的低温银浆烧结制备,覆盖整个表面。该步骤是标准的工艺,样品架如图1和图2所示,样品架有两类限位槽,为限位槽Ⅰ4和限位槽Ⅱ5,其中限位槽Ⅰ4尺寸与太阳电池1及其背表面金属板6相匹配,限位槽Ⅱ5的宽度与金属汇流条7匹配;背表面金属板6及其金属汇流条7分别安放在限位槽Ⅰ4和限位槽Ⅱ5上,金属汇流条7与太阳电池片接触的位置在放入限位槽上之前,用锡或低温银浆进行覆盖;
然后,太阳电池片使用真空吸盘进行翻转,并被再次放入限位槽,背表面与金属板接触,前表面朝上;使用低温银浆印刷主栅线2和栅线3,如图3所示;金属汇流条7掰起朝上,如图4所示,与其连接的电池放在右边。然后将金属汇流条7压在右边太阳电池1的主栅线2上,如图5所示;
最右边太阳电池1的背接触连接的金属汇流条7作为接外电路引线使用。最左边的太阳电池1在其主栅线2上连接金属带作为另一个与外电路相接的接触引线用。这一系列的结构在200℃下保温10分钟,一步烧结完成。与常规的前表面栅线印刷烧结、汇流条与太阳电池片背面及正面的连接烧结的三步单独的工艺步骤相比,本实施例节省了两步工艺步骤,至少节省工艺时间1小时。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的