[发明专利]一种低插损压电声波带通滤波器及实现方法

权利要求书

1.一种低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，包括以下步骤：

利用一个第一类压电声波谐振器构成一个串联枝；

利用一个其串联谐振频率处阻抗值和并联谐振频率处阻抗值不同于第一类压电声波谐振器串联谐振频率处阻抗值和并联谐振频率处阻抗值的第二类压电声波谐振器构成一个具有接地端的并联枝；

通过将所述串联枝的任一端与所述并联枝的非接地端连接，形成一个声波带通滤波器单元；

级联多个所述声波带通滤波器单元；

其中，所述第一类压电声波谐振器串联谐振频率处的阻抗值小于所述第二类压电声波谐振器串联谐振频率处的阻抗值；

所述第一类压电声波谐振器并联谐振频率处的阻抗值小于所述第二类压电声波谐振器并联谐振频率处的阻抗值。

2.根据权利要求1所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述第一类压电声波谐振器的串联谐振频率≤所述第二类压电声波谐振器的并联谐振频率；或者所述第一类压电声波谐振器的串联谐振频率≥所述第二类压电声波谐振器的并联谐振频率。

3.根据权利要求1所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述第一类压电声波谐振器具有I型声学色散特性，使得所述谐振器在串联谐振频率附近的阻抗值达到极小。

4.根据权利要求3所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述第一类压电声波谐振器是薄膜体声波谐振器或固态装配谐振器。

5.根据权利要求1所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述第二类压电声波谐振器具有II型声学色散特性，使得所述谐振器在并联谐振频率附近的阻抗值达到极大。

6.根据权利要求5所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述第二类压电声波谐振器是薄膜体声波谐振器或固态装配谐振器。

7.根据权利要求1-6任意一项所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述第一类压电声波谐振器和第二类压电声波谐振器具有基本层叠结构，所述基本层叠结构包含下电极层、压电层和上电极层。

8.根据权利要求7所述的低插损压电声波带通滤波器的实现方法，其特征在于，所述下电极层和上电极层的材料是铜、铝、钼、铂、金、钨之一，所述压电层的材料是氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅之一。

9.一种低插损压电声波带通滤波器，其特征在于，包括：级联的多个声波带通滤波器单元；

所述声波带通滤波器单元包括：

利用一个第一类压电声波谐振器构成的一个串联枝；

利用一个其串联谐振频率处阻抗值和并联谐振频率处阻抗值不同于第一类压电声波谐振器串联谐振频率处阻抗值和并联谐振频率处阻抗值的第二类压电声波谐振器构成的具有一个接地端的并联枝；

其中，所述串联枝的任一端与所述并联枝的非接地端连接；

所述第一类压电声波谐振器串联谐振频率处的阻抗值小于所述第二类压电声波谐振器串联谐振频率处的阻抗值；

所述第一类压电声波谐振器并联谐振频率处的阻抗值小于所述第二类压电声波谐振器并联谐振频率处的阻抗值。

10.根据权利要求9所述的低插损压电声波带通滤波器，其特征在于，所述第一类压电声波谐振器的串联谐振频率≤所述第二类压电声波谐振器的并联谐振频率；或者所述第一类压电声波谐振器的串联谐振频率≥所述第二类压电声波谐振器的并联谐振频率。